[發明專利]一種微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法

在審

• 申請號: 201410516016.8
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104233427A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 朱宗濤;李遠星;王雪飛;陳輝
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: C25D11/04
• 分類號: C25D11/04;C25D11/02;C25D5/18
• 代理公司: 成都信博專利代理有限責任公司 51200
• 代理人: 張澎

1.一種微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法，通過微弧氧化處理在焊接接頭表面制備一表面層以改善焊接接頭殘余應力分布并提高自身的防腐、耐磨性能；其主要手段為：將被處理的焊接接頭工件懸置于盛有電解液的電解槽內，工件與電解槽壁分別接微弧氧化電源的陽極和陰極，采用電參數范圍為：正向脈沖電壓100-800V，正向脈沖寬度50-1000μs，負向脈沖電壓50-250V，輸出頻率50-3000Hz。微弧氧化反應進行20min～40min后，獲得膜厚達到20～60μm的涂層。

2.根據權利要求1所述的微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法，其特征在于，所述電解液微弧氧化溶液體系可采用硅酸鹽體系、偏鋁酸鹽、磷酸鹽和碳酸鹽溶液體系。

3.根據權利要求1所述的微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法，其特征在于，所述電參數范圍為：正向脈沖電壓600V，正向脈沖寬度200μs，負向脈沖電壓0V，輸出頻率500Hz；反應進行30min獲膜層厚度5-100μm的表面層。

4.根據權利要求2所述的微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法，其特征在于，所述硅酸鹽體系主成膜劑為Na₂SiO₃，濃度范圍為10～25g/L；PH調節劑為KOH，其濃度范圍為6～20g/L。

5.根據權利要求4所述的微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法，其特征在于，所述硅酸鹽體系可以選擇添加濃度為10g/L的NaAlO₂、濃度為15g/L的(Na₂P0₃)₆、濃度為5g/L的K₂CO₃，與Na₂SiO₃配合作為成膜劑。可以選擇添加濃度為4g/L的Na₂EDTA作絡合劑。

6.根據權利要求4所述的微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法，其特征在于，Na₂SiO₃濃度為12g/L，KOH濃度為2g/L。

7.根據權利要求1所示的一種微弧氧化改善鋁合金焊接接頭殘余應力的方法，其特征在于，除鋁合金焊接接頭外，還可施于其它合金，如鎂及鎂合金、鈦和鈦合金焊接接頭。