[發(fā)明專利]一種十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410515302.2
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN104297842B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 歐陽征標(biāo);文國華
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市浩源光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44248
• 代理人: 胡吉科

1.一種十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：它包括高折射率介質(zhì)柱和低折射率背景介質(zhì)柱；所述的光子晶體結(jié)構(gòu)由元胞按正方晶格排列而成；所述正方晶格光子晶體的元胞由高折射率旋轉(zhuǎn)正方桿、十字平板介質(zhì)桿和背景介質(zhì)組成；所述高折射率旋轉(zhuǎn)正方桿與十字平板介質(zhì)桿相連接；所述正方晶格光子晶體的晶格常數(shù)為a；所述旋轉(zhuǎn)正方柱邊長d為0.51a～0.64a，所述旋轉(zhuǎn)正方柱桿的旋轉(zhuǎn)角度α為2.30°～87.7°，所述十字平板介質(zhì)桿的寬度t為0.032a～0.072a；所述十字平板介質(zhì)桿相對于旋轉(zhuǎn)正方桿在一個晶格周期內(nèi)自下而上、自左而右的移動距離G為0.4a～0.6a。

2.按照權(quán)利要求1所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：所述高折射率介質(zhì)為硅、砷化鎵、二氧化鈦，或者折射率大于2的高折射率介質(zhì)。

3.按照權(quán)利要求2所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：所述高折射率介質(zhì)材料為硅，其折射率為3.4。

4.按照權(quán)利要求1所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：所述背景介質(zhì)為低折射率介質(zhì)。

5.按照權(quán)利要求1或4所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體其特征在于：所述低折射率背景介質(zhì)為空氣、真空、氟化鎂、二氧化硅，或者折射率小于1.6的介質(zhì)。

6.按照權(quán)利要求5所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：所述低折射率背景介質(zhì)材料為空氣。

7.按照權(quán)利要求1所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：所述光子晶體元胞的十字平板介質(zhì)桿水平部分的最左端距離最右端為a；所述光子晶體元胞的十字平板介質(zhì)桿豎直部分的最上端距離最下端為a。

8.按照權(quán)利要求1所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：高折射率材料為硅，低折射率材料為空氣，2.30°+90°×n≤α≤87.7°+90°×n，所述n為0，或者其它自然整數(shù)，0.51a≤d≤0.64a，0.032a≤t≤0.072a，0.4a≤G≤0.6a，所述光子晶體結(jié)構(gòu)的絕對禁帶相對值大于10％。

9.按照權(quán)利要求1所述的十字連桿與旋轉(zhuǎn)正方桿的二維正方晶格光子晶體，其特征在于：高折射率材料為硅，低折射率材料為空氣，d＝0.57a；t＝0.048a；G＝0.5a；α＝21.94°+90°×n,所述n為0，或者其它自然整數(shù),絕對禁帶相對值為14.30％。