[發明專利]圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導

有效

• 申請號: 201410515301.8
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN104950384B
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 歐陽征標;黃浩
• 申請（專利權）人: 歐陽征標;深圳大學
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02B6/125
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 胡吉科

1.一種圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，它由低折射率的第一介質柱在高折射率背景介質中按正方晶格排列而成的光子晶體，在所述光子晶體中移除一排和一列低折射率的第一介質柱以形成直角波導；在所述直角波導的兩個拐彎處分別設置低折射率的第二、三介質柱；所述第二、三介質柱為補償散射柱；所述第二、三介質柱分別為半圓形空氣柱，所述第二介質柱，即左上角半圓形補償散射空氣柱的半徑為0.33301a，其中a為正方晶格光子晶體的晶格常數，其旋轉角度為205.199158度，旋轉方向為順時針方向；所述第三介質柱,即右下角半圓形補償散射空氣柱的半徑為0.18591a,其旋轉角為250.721844度；所述第一介質柱為低折射率的空氣圓柱或空氣圓孔；在歸一化頻率0.3處，所述光子晶體直角波導的最大回波損耗為43.2dB，最小插入損耗為0.0004dB。

2.按照權利要求1所述的圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，所述高折射率背景介質的材料為折射率大于2的介質。

3.按照權利要求1所述的圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，所述高折射率背景介質的材料為硅、砷化鎵或者二氧化鈦。

4.按照權利要求3所述的圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，所述高折射率背景介質的材料為硅，其折射率為3.4。

5.按照權利要求1所述的圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，所述低折射率的第一介質柱為折射率小于1.6的介質。

6.按照權利要求1所述的圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，所述低折射率的第一介質柱為空氣、真空、氟化鎂或者二氧化硅。

7.按照權利要求1所述的圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，所述直角波導為TE工作模式波導。

8.按照權利要求1所述的圓孔式正方晶格光子晶體低折射率雙補償散射柱直角波導，其特征在于，所述直角波導結構的面積大于或等于7a×7a，其中a為正方晶格光子晶體的晶格常數。