[發明專利]一種新型硅基磁電信號耦合器件

在審

• 申請號: 201410514942.1
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN104300964A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 錢正洪;朱華辰;白茹
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H03K19/16
• 分類號: H03K19/16
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.?一種新型硅基磁電信號耦合器件，其特征在于：包含信號電流線圈、幾何巨磁電阻器件、信號處理集成電路，所述信號處理集成電路包含恒流源和讀取電路；

外部信號源將信號電流輸入信號電流線圈，產生與信號電流的大小及方向線性相關的磁場，其中信號電流線圈設置于幾何巨磁電阻器件正上方，產生垂直于幾何巨磁電阻器件表面的磁場；恒流源為幾何巨磁電阻器件提供恒定電流，使幾何巨磁電阻器件工作于最佳狀態，根據磁場大小和方向的不同，讀取電路的輸入端得到顯著變化的電壓信號，通過放大整形后輸出。

2.根據權利要求1所述的一種新型硅基磁電信號耦合器件，其特征在于：所述幾何巨磁電阻器件為硅基幾何巨磁電阻器件，其磁敏感方向為垂直于器件表面方向。

3.根據權利要求1所述的一種新型硅基磁電信號耦合器件，其特征在于：所述幾何巨磁電阻器件為硅基幾何巨磁電阻器件，其上設置有電極，電極數目為兩個或多個。

4.根據權利要求1所述的一種新型硅基磁電信號耦合器件，其特征在于：所述信號電流線圈、幾何巨磁電阻器件、信號處理集成電路均通過CMOS集成電路工藝制備而成，且集成于同一襯底上形成單體芯片。