[發明專利]單獨封裝同步整流器

有效

• 申請號: 201410514567.0
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN105529939B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 李承柱;詹姆斯樸;張曉天;潘恩偉;丁宇;金大鐘;韋恩·F·英格;張光銘;王曉彬
• 申請（專利權）人: 萬國半導體股份有限公司
• 主分類號: H02M7/12
• 分類號: H02M7/12;H02M7/217
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙)31249
• 代理人: 張靜潔,徐雯瓊

1.一種同步整流器，其特征在于，包含：

至少一分立開關器件以及至少一控制器，控制器用于傳感所述分立開關器件的電壓，并根據分立開關器件傳感電壓，使能/禁止所述的分立開關器件，其中所述的分立開關器件及所述的控制器安裝在一個半導體封裝引線框的一個公共晶片托盤上，且封裝在一個單獨封裝中，通過至少一層非導電材料，將所述的控制器粘接到所述的公共晶片托盤，所述的控制器與所述的公共晶片托盤電絕緣，所述的分立開關器件的至少一電極終端焊接在所述的公共晶片托盤上，所述的同步整流器連接到位于開關模式電源變壓器的次級側，所述的分立開關器件為BJT、MOSFET、IGBT以及SCR中的一種；

所述的至少一電極終端為MOSFET的底部漏極，MOSFET具有底部漏極、頂部源極和頂部柵極，所述的底部漏極連接到位于開關模式電源變壓器的次級側；

所述的單獨封裝包括一個接地引線，所述的MOSFET的源極通過多個接合引線或金屬夾片連接到所述的接地引線；

所述的控制器包括一個接地端，所述的控制器還包括一個柵極驅動端通過至少一個接合引線連接到所述MOSFET的柵極端；所述的控制器還包括一個電壓傳感端，所述的電壓傳感端通過向下引線連接到所述的公共晶片托盤，或者通過接合引線連接到所述的MOSFET的底部漏極。

2.如權利要求1所述的同步整流器，其特征在于，所述的單獨封裝還包括一個連接到所述的公共晶片托盤的中間引線，所述的電壓傳感端通過接合引線連接到所述的中間引線。

3.如權利要求1所述的同步整流器，其特征在于，所述的引線框部分電鍍銀和鎳中的至少一種；

所述的半導體封裝為TO220、 TO220F、TO252和 TO263中的一種。

4.如權利要求1所述的同步整流器，其特征在于，所述的MOSFET為雙漏極MOSFET，具有頂部柵極、頂部源極、底部漏極和頂部漏極，

所述的電壓傳感端通過接合引線連接到所述的雙漏極MOSFET的頂部漏極，所述的雙漏極MOSFET的底部漏極連接到位于開關模式電源變壓器的次級側。

5.一種雙通道同步整流器，其特征在于，包括：

第一對第一分立開關器件和第一控制器，第一控制器用于傳感所述的第一分立開關器件的電壓，并根據第一分立開關器件的傳感電壓，使能/禁止所述的第一分立開關器件；

第二對第二分立開關器件和第二控制器，第二控制器用于傳感所述的第二分立開關器件的電壓，并根據第二分立開關器件的傳感電壓，使能/禁止所述的第二分立開關器件；以及

所述的第一對第一分立開關器件和第一控制器安裝在第一晶片托盤上，所述的第二對第二分立開關器件和第二控制器安裝在第二晶片托盤上，并且封裝在單獨封裝中，所述的第一晶片托盤和第二晶片托盤相互電絕緣，所述的第一分立開關器件和所述的第二分立開關器件分別為BJT、MOSFET、IGBT以及SCR中的一種；

所述的第一分立開關器件的至少一個電極終端焊接在所述的第一晶片托盤上；以及所述的第二分立開關器件的至少一個電極終端焊接在所述的第二晶片托盤上；

所述的第一分立開關器件為第一MOSFET；以及所述的第二分立開關器件為第二MOSFET；所述的第一MOSFET和第二MOSFET都具有底部漏極、頂部源極和頂部柵極；所述的第一MOSFET的漏極連接到第一晶片托盤上，所述的第二MOSFET的漏極連接到第二晶片托盤上；

所述的單獨封裝包括一個公共接地引線，所述的第一MOSFET的源極以及所述的第二MOSFET的源極分別通過多個接合引線或金屬夾片，連接到所述的公共接地引線；

所述的第一控制器還包括第一柵極驅動端，所述的第一MOSFET的柵極通過至少一個接合引線連接到所述的第一柵極驅動端；

所述的第二控制器包括第二柵極驅動端，所述的第二MOSFET的柵極通過至少一個接合引線連接到所述的第二柵極驅動端；

所述的第一控制器進一步包括第一電壓傳感端，所述的第一電壓傳感端通過一個向下引線連接到所述的第一晶片托盤，或者通過接合引線連接到所述的第一MOSFET的底部漏極；

所述的第二控制器進一步包括第二電壓傳感端，所述的第二電壓傳感端通過一個向下引線連接到所述的第二晶片托盤，或者通過接合引線連接到所述的第二MOSFET的底部漏極。