[發(fā)明專利]多層絕緣薄膜的圖形化方法及芯片的多層絕緣薄膜

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• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN104217927A
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 徐琦;鄭遠志;陳向東;康建;梁旭東
• 申請（專利權）人: 圓融光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L33/48
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種多層絕緣薄膜的圖形化方法，其特征在于，包括：

在所制備的半導體晶片的襯底表面蒸鍍掩膜層；

去除部分所述掩膜層，形成掩膜層圖形，露出部分所述襯底；

在所述半導體晶片表面蒸鍍多層絕緣薄膜，所述多層絕緣薄膜覆蓋所述掩膜層圖形和部分所述襯底；

去除所述掩膜層圖形和所述掩膜層圖形上覆蓋的多層絕緣薄膜，保留部分所述襯底上的多層絕緣薄膜，使得所述半導體晶片表面在所述掩膜層圖形的位置形成凹坑。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多層絕緣薄膜由至少兩種絕緣膜質一次或者多次交替堆疊形成。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層的熱膨脹系數(shù)與所述襯底的熱膨脹系數(shù)的比值在0.9到1.1之間；所述掩膜層與所述襯底之間緊密的粘附在一起。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層的熱膨脹系數(shù)與所述多層絕緣薄膜的熱膨脹系數(shù)的比值大于1.2；所述掩膜層的晶格失配系數(shù)與所述多層絕緣薄膜的晶格失配系數(shù)的比值大于1.2。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述掩膜層圖形和所述掩膜層圖形上覆蓋的多層絕緣薄膜，包括：

通過濕法刻蝕去除所述掩膜層圖形和所述掩膜層圖形上覆蓋的多層絕緣薄膜，保留部分所述襯底上的多層絕緣薄膜。

6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕所使用的溶劑對所述掩膜層與所述多層絕緣薄膜的選擇比大于100，使得去除所述掩膜層圖形的同時保留部分所述襯底表面的多層絕緣薄膜，以形成所述多層絕緣薄膜的納米級圖形。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層包括：有機物、金屬、氧化物中的一種或幾種。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜層的厚度在0.1到1000um之間。

9.根據(jù)權利要求1～8中任一項所述的方法，其特征在于，所述蒸鍍掩膜層之前，還包括：

在半導體晶片的襯底上依次生長緩沖層、N型半導體層、發(fā)光層和P型半導體層，以形成外延層；

在所述外延層上生長氧化銦錫ITO薄膜；

通過刻蝕形成待制備半導體芯片的N型區(qū)和P型區(qū)；

在所述半導體晶片的表面蒸鍍分布式布拉格反射鏡DBR層；

則在所制備的半導體晶片的襯底表面蒸鍍掩膜層，包括：

在所制備的半導體晶片的所述DBR層表面蒸鍍掩膜層。

10.一種芯片的多層絕緣薄膜，所述芯片的多層絕緣薄膜的圖形采用如權利要求1～9中任一項所述的方法制得。