[發明專利]高密度封裝基板孔上盤產品及其制備方法

在審

• 申請號: 201410512534.2
• 申請日: 2014-09-28
• 公開（公告）號: CN104270888A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 王名浩;謝添華;李志東
• 申請（專利權）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司;宜興硅谷電子科技有限公司;深圳市興森快捷電路科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K3/42;H05K3/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄭彤;萬志香

1.一種高密度封裝基板孔上盤產品的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

烘板：將薄銅基板進行烘烤，所述薄銅基板的厚度為≤0.1mm，所述薄銅基板的銅箔表面粘覆有保護膜層；

制作定位孔：在所述薄銅基板的非功能區域制作至少一組定位通孔；

激光鉆孔：移除所述薄銅基板一側的保護膜層，露出激光加工區域，采用激光進行鉆孔操作，形成半貫通孔，所述半貫通孔的深度為薄銅基板一側的銅箔的厚度與薄銅基板介質層的厚度的總和；

微蝕：將激光鉆孔后的薄銅基板進行蝕刻操作；

沉銅：移除所述薄銅基板另一側的保護膜層，然后進行全板沉銅操作；

圖形轉移：將全板沉銅后的線路板進行貼干膜、曝光顯影操作，露出電鍍區域和所述半貫通孔；

電鍍填孔：將圖形轉移后的線路板進行電鍍銅操作，使所述半貫通孔中填滿銅；

退膜蝕刻：將進行電鍍銅操作后的線路板進行退膜、蝕刻操作，然后再進行后工序制作即得所述高密度封裝基板孔上盤產品。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述薄銅基板的銅箔厚度為2-4μm，所述保護膜層的厚度為18-35μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述烘烤的工藝參數為：在150-190℃條件下烘烤2-4h。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光鉆孔步驟中，采用的激光的能量為1.5-15毫焦，激光的脈沖寬度控制在5-12μs，控制脈沖次數為3-8次，所述鉆孔操作還包括對銅面進行0.5-1μm的粗化處理。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光鉆孔步驟中，所述半貫通孔的開口端孔徑與底部孔徑比為1:0.6-0.8，開口端孔徑與孔深度比為1:0.3-1。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述微蝕步驟中，控制微蝕量為0.5-1μm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述沉銅步驟中，全板沉銅的銅厚為0.5-1μm。

8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述電鍍銅步驟中，電鍍銅的電流密度為3-20ASF，電流時間為30-120min，電鍍銅的銅厚為5-25μm。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述電鍍銅步驟中，電鍍銅的電流密度為3-12ASF，電流時間為80-120min，電鍍銅的銅厚為5-15μm。

10.權利要求1-9任一項所述制備方法制備得到的高密度封裝基板孔上盤產品。