[發(fā)明專利]氣相成膜裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410512506.0
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN104513968B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 須田昇;大石隆宏;米野純次;盧柏菁;薛士雍;鐘步青
• 申請（專利權(quán)）人: 漢民科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00
• 代理公司: 北京市浩天知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種氣相成膜裝置，具有承載成膜用基板的基板保持構(gòu)件的圓板狀晶座、讓該基板自轉(zhuǎn)公轉(zhuǎn)的部件、對向于該基板保持構(gòu)件而形成流道的對向面、材料氣體的導(dǎo)入部及排氣部的氣相成膜裝置，其是以該圓板狀晶座與該對向面的距離會在該基板的公轉(zhuǎn)方向中產(chǎn)生變化的方式，在該對向面施以凹凸形狀。

2.如權(quán)利要求1所述的氣相成膜裝置，其中該材料體的導(dǎo)入部具有圓板狀的噴射器，并于其中施以與該對向面的凹凸形狀對應(yīng)的凹凸形狀。

3.如權(quán)利要求1所述的氣相成膜裝置，其成膜方式為化學(xué)氣相成長。

4.如權(quán)利要求2所述的氣相成膜裝置，其成膜方式為化學(xué)氣相成長。

5.如權(quán)利要求1～4任一項所述的氣相成膜裝置，其中所生成的膜為化合物半導(dǎo)體膜及氧化物膜。

6.如權(quán)利要求1～4任一項所述的氣相成膜裝置，其中該材料氣體的一部分含有有機金屬。

7.如權(quán)利要求5所述的氣相成膜裝置，其中該材料氣體的一部分含有有機金屬。

8.如權(quán)利要求1～4任一項所述的氣相成膜裝置，其中構(gòu)成該對向面及該噴射器的構(gòu)件材質(zhì)為不銹鋼、鉬等金屬材料；碳、碳化硅、碳化鉭等碳化物；氮化硼、氮化鋁等氮化物；以及石英、氧化鋁等氧化物系陶瓷的任一種，或該等同的組合。

9.如權(quán)利要求5所述的氣相成膜裝置，其中構(gòu)成該對向面及該噴射器的構(gòu)件材質(zhì)為不銹鋼、鉬等金屬材料；碳、碳化硅、碳化鉭等碳化物；氮化硼、氮化鋁等氮化物；以及石英、氧化鋁等氧化物系陶瓷的任一種，或該等同的組合。

10.如權(quán)利要求6所述的氣相成膜裝置，其中構(gòu)成該對向面及該噴射器的構(gòu)件材質(zhì)為不銹鋼、鉬等金屬材料；碳、碳化硅、碳化鉭等碳化物；氮化硼、氮化鋁等氮化物；以及石英、氧化鋁等氧化物系陶瓷的任一種，或該等同的組合。

11.如權(quán)利要求7所述的氣相成膜裝置，其中構(gòu)成該對向面及該噴射器的構(gòu)件材質(zhì)為不銹鋼、鉬等金屬材料；碳、碳化硅、碳化鉭等碳化物；氮化硼、氮化鋁等氮化物；以及石英、氧化鋁等氧化物系陶瓷的任一種，或該等同的組合。