[發明專利]全角度側壁反射電極的LED芯片及其制作方法

在審

• 申請號: 201410510064.6
• 申請日: 2014-09-28
• 公開（公告）號: CN104269471A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 徐慧文;張宇;李起鳴
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/60;H01L33/58;H01L33/62
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種全角度側壁反射電極的LED芯片，其特征在于，包括：襯底、外延層、鈍化層、P電極和N電極，其中，所述外延層包括依次形成的N-GaN、量子阱層和P-GaN，所述N-GaN形成在所述襯底上，所述P-GaN和量子阱層的兩側壁設有斜坡，暴露出部分N-GaN，所述鈍化層形成在所述斜坡和P-GaN的表面，并設有圖案暴露出部分P-GaN，所述N電極形成在所述斜坡處的鈍化層及P-GaN表面的鈍化層上，并與所述N-GaN相連，所述P電極形成在所述鈍化層的表面，并與暴露出的P-GaN相連。

2.如權利要求1所述的全角度側壁反射電極的LED芯片，其特征在于，還包括一透明導電薄膜，所述透明導電薄膜形成在所述鈍化層和P-GaN之間，圖案化的鈍化層暴露出所述透明導電薄膜。

3.如權利要求2所述的全角度側壁反射電極的LED芯片，其特征在于，所述P電極包括P焊盤和所述P焊盤相連的P引線，所述P焊盤和P引線均形成在P-GaN表面的鈍化層上，并與所述透明導電薄膜相連。

4.如權利要求2所述的全角度側壁反射電極的LED芯片，其特征在于，所述P電極包括P焊盤和所述P焊盤相連的P引線，所述P焊盤形成在P-GaN表面的鈍化層上，所述P引線形成在所述斜坡處的鈍化層及P-GaN表面的鈍化層上，并與所述透明導電薄膜相連。

5.如權利要求1所述的全角度側壁反射電極的LED芯片，其特征在于，所述N電極包括N焊盤和所述N焊盤相連的N引線，所述N焊盤形成在P-GaN表面的鈍化層上，所述N引線形成在所述斜坡處的鈍化層及P-GaN表面的鈍化層上，并與所述N-GaN相連。

6.一種全角度側壁反射電極的LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底；

在所述襯底上形成外延層，所述外延層依次包括N-GaN、量子阱層和P-GaN；

刻蝕所述量子阱層和P-GaN，形成斜坡，所述斜坡暴露出部分N-GaN；

在所述斜坡處及P-GaN的表面形成鈍化層，所述鈍化層設有圖案暴露出部分P-GaN；

在暴露出的P-GaN上形成P電極，在所述斜坡及P-GaN表面的鈍化層上形成N電極，所述N電極與暴露的N-GaN相連。

7.如權利要求6所述的全角度側壁反射電極的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成所述鈍化層之前，在所述P-GaN的表面形成一層透明導電薄膜，所述透明導電薄膜的材質為ITO、AZO或ZnO。

8.如權利要求7所述的全角度側壁反射電極的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用負膠技術形成所述P電極和N電極，所述P電極包括P焊盤和所述P焊盤相連的P引線，所述P焊盤形成在P-GaN表面的鈍化層上，所述P引線形成在所述斜坡處的鈍化層及P-GaN表面的鈍化層上，并與所述透明導電薄膜相連，所述N電極形成在所述斜坡處的鈍化層及P-GaN表面的鈍化層上，并與所述N-GaN相連。

9.如權利要求7所述的全角度側壁反射電極的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用負膠技術形成所述P電極和N電極，所述P電極包括P焊盤和所述P焊盤相連的P引線，所述P焊盤和P引線均形成在P-GaN表面的鈍化層上，并與所述透明導電薄膜相連，所述N電極形成在所述斜坡處的鈍化層及P-GaN表面的鈍化層上，并與所述N-GaN相連。

10.如權利要求6所述的全角度側壁反射電極的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用BCl₃、Cl₂或Ar氣體在等離子體狀態下刻蝕所述量子阱層和P-GaN形成所述斜坡。

11.如權利要求6所述的全角度側壁反射電極的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述鈍化層的材質為SiO₂、SiN、SiON、Al₂O₃或TiO₂的一種或多種堆疊而成，所述鈍化層的圖案采用干法刻蝕或濕法刻蝕形成。

12.如權利要求6所述的全角度側壁反射電極的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述P電極和N電極的材質均為Ag、Al、Rh為主體反射金屬搭配Cr、Ni、Pt、Au、W、Ti的一種或多種的有機結合。