[發明專利]利用選擇區域外延技術制作激光器陣列的方法在審
| 申請號： | 201410510052.3 | 申請日： | 2014-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN104242059A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 梁松;朱洪亮 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/40 | 分類號： | H01S5/40;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 選擇 區域 外延 技術 制作 激光器 陣列 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用選擇區域外延技術制作激光器陣列的方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底上外延生長下分別限制層及量子阱層；
步驟2：在量子阱層上制作選擇區域外延介質掩膜圖形；
步驟3：選擇區域外延生長上分別限制層；
步驟4：去掉介質掩膜圖形；
步驟5：在上分別限制層上制作光柵，不同掩膜對間距或寬度變化周期內的激光器光柵周期不同；
步驟6：在光柵上生長接觸層，完成制備。
2.根據權利要求1所述的利用選擇區域外延技術制作激光器陣列的方法，其中介質掩膜圖形以陣列單元間距為間距成對出現，對應于不同陣列單元的介質掩膜對的間距或掩膜寬度周期性漸變。
3.一種利用選擇區域外延技術制作激光器陣列的方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底之上制作選擇區域外延介質掩膜圖形；
步驟2：選擇區域外延生長下分別限制層；
步驟3：去掉介質掩膜圖形；
步驟4：在下分別限制層上外延生長量子阱層及上分別限制層；
步驟5：在上分別限制層之上制作光柵，不同掩膜對間距或寬度變化周期內的激光器光柵周期不同；
步驟6：在光柵之上生長接觸層，完成制備。
4.根據權利要求3所述的利用選擇區域外延技術制作激光器陣列的方法，其中介質掩膜圖形以陣列單元間距為間距成對出現，對應于不同陣列單元的介質掩膜對的間距或掩膜寬度周期性漸變。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院半導體研究所，未經中國科學院半導體研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410510052.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
