[發明專利]垂直器件結構有效
| 申請號： | 201410507489.1 | 申請日： | 2014-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN105280698B | 公開（公告）日： | 2019-09-13 |
| 發明（設計）人： | 王志豪;廖忠志;連萬益;游家權;邱奕勛;蔡慶威;吳偉豪 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李偉 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 垂直 器件 結構 | ||
1.一種垂直晶體管器件，包括：
源極區，設置在半導體襯底上方；
溝道區，包括設置在所述源極區上方的多個垂直溝道條，其中，所述多個垂直溝道條的底面鄰接所述源極區并具有矩形形狀；
單個柵極區，位于所述源極區上方，并且位于通過柵極介電層與所述多個垂直溝道條的側壁間隔開的位置處，所述單個柵極區圍繞所述多個垂直溝道條，并且所述多個垂直溝道條均受控于所述單個柵極區；以及
漏極區，設置在所述單個柵極區和所述多個垂直溝道條上方，
其中，所述多個垂直溝道條分別具有兩條第一相對邊和兩條第二相對邊，所述兩條第一相對邊具有長度，所述兩條第二相對邊具有小于所述長度的寬度；以及
其中，所述多個垂直溝道條的兩條第一相對邊在所述源極區上方定向為平行，
其中，所述多個垂直溝道條的兩條第一相對邊在垂直于或平行于所述源極區的長度的方向上延伸。
2.根據權利要求1所述的垂直晶體管器件，其中，所述多個垂直溝道條的長度大于所述多個垂直溝道條的寬度兩倍至二十倍之間。
3.根據權利要求1所述的垂直晶體管器件，其中，所述單個柵極區沿著所述多個垂直溝道條的一部分延伸，所述多個垂直溝道條的一部分通過絕緣材料與所述漏極區垂直分離。
4.根據權利要求1所述的垂直晶體管器件，
其中，所述單個柵極區包括具有水平邊和垂直邊的“L”形結構；以及
其中，所述水平邊定向為平行于所述源極區的頂面，并且所述垂直邊定向為平行于所述多個垂直溝道條的側壁。
5.根據權利要求4所述的垂直晶體管器件，
其中，所述柵極介電層包括設置在所述源極區上方并且鄰接所述多個垂直溝道條的側壁的高k介電材料；
其中，所述單個柵極區包括：
柵極功函層，設置在所述柵極介電層上并且配置為影響所述垂直晶體管器件的功函；以及
柵極金屬層，包括設置在所述柵極功函層上的導電材料。
6.一種垂直晶體管器件，包括：
源極區，設置在半導體襯底上方；
漏極區，設置在所述源極區上方；
多個垂直溝道條，在所述源極區和所述漏極區之間延伸，其中，所述多個垂直溝道條的底面鄰接所述源極區并且具有兩條第一相對邊和兩條第二相對邊，所述兩條第一相對邊具有長度，所述兩條第二相對邊具有小于所述長度的寬度；以及
單個柵極區，圍繞所述多個垂直溝道條，并且位于與所述源極區和所述漏極區垂直地分離的位置處，并且所述多個垂直溝道條均受控于所述單個柵極區
其中，所述多個垂直溝道條的兩條第一相對邊在定向為垂直于或平行于所述源極區的長度的方向上延伸。
7.根據權利要求6所述的垂直晶體管器件，
其中，所述單個柵極區包括具有水平邊和垂直邊的“L”形結構；以及
其中，所述水平邊定向為平行于所述源極區的頂面，并且所述垂直邊定向為平行于所述多個垂直溝道條的側壁。
8.根據權利要求7所述的垂直晶體管器件，還包括：
柵極介電層，包括高k介電材料，并且設置在所述源極區上方并鄰接所述多個垂直溝道條的側壁；
其中，所述單個柵極區包括：
柵極功函層，設置在所述柵極介電層上并且配置為影響所述垂直晶體管器件的功函；以及
柵極金屬層，包括設置在所述柵極功函層上的導電材料。
9.根據權利要求6所述的垂直晶體管器件，其中，所述多個垂直溝道條的長度大于所述多個垂直溝道條的寬度兩倍至二十倍之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410507489.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：具有柵極氧化物層的FINFET器件
- 下一篇：半導體功率元件
- 同類專利
- 專利分類
