[發(fā)明專利]一種用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410506957.3
• 申請(qǐng)日: 2014-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN104355610B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊碩;王政紅;師琳璞
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)船舶重工集團(tuán)公司第七二五研究所
• 主分類號(hào): C04B35/453
• 分類號(hào): C04B35/453;C04B35/622;B28B1/24
• 代理公司: 洛陽公信知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)41120
• 代理人: 周會(huì)芝

1.一種用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述方法具體包括如下步驟：

一、制備ITO漿料：

首先取ITO粉體或氧化銦和氧化錫的混合物，以去離子水為水溶劑，在水溶劑中加入占ITO粉體或氧化銦和氧化錫的混合物0.05～1%的有機(jī)分散劑，用氨水調(diào)節(jié)溶液pH值至9～11形成溶劑，所述溶劑在配制過程中始終用磁力轉(zhuǎn)子或機(jī)械攪拌棒進(jìn)行攪拌，以使水溶劑中的添加物混合均勻，然后將ITO粉體或氧化銦和氧化錫的混合物與配置的含分散劑的溶劑一同進(jìn)行球磨，制備出高固含量、較低粘度的ITO漿料，球磨后的ITO漿料，再進(jìn)行過篩、抽真空除泡，得到滿足壓力注漿成型要求的高濃度、流動(dòng)性較好的ITO漿料；

二、制備大規(guī)格ITO靶材坯體：

接上步，采用自動(dòng)化組合注漿設(shè)備，以壓縮空氣為加壓介質(zhì)，通過逐級(jí)加壓的方法將第一步獲取的ITO漿料壓入微孔模具中而成型，其中最高壓力為0.3～1.5MPa，最高壓的保持時(shí)間為20～100min，坯體固化后可立即脫模，得到大規(guī)格、高密度的均勻ITO靶材坯體；

三、制備大規(guī)格ITO靶材：

接上步，成型后的ITO靶材坯體用稱重法測(cè)量，密度為4.86～5.37g/cm³，坯體再經(jīng)20～30℃干燥4～7天、100～150℃進(jìn)一步干燥2～3天、650～900℃脫脂15～30h、1500～1650℃氧氣氛燒結(jié)后，得到大規(guī)格、高密度、低電阻率的ITO靶材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第一步中的ITO粉體純度大于99.99%，平均粒徑范圍為0.02～1μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第一步中的氧化銦和氧化錫混合物的重量比為90:10。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第一步中去離子水，在制備固含量為80～90%的漿料時(shí)，去離子水的質(zhì)量含量占粉體的11.1～25.0%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第一步中有機(jī)分散劑為聚丙烯酸系分散劑或聚羧酸系分散劑中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第一步中ITO漿料的固含量為80～90%、粘度為η=18～971mPa·s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第一步中球磨選用的球磨罐材質(zhì)為瑪瑙、尼龍或聚氨酯，球磨介質(zhì)為氧化鋯球或聚氨酯球，磨球直徑為5～20mm，球料比范圍為1.5:1～4:1，球磨轉(zhuǎn)速為100～150r/min，球磨時(shí)間為5～12h。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第二步中微孔模具的材料為樹脂、石膏、玻璃、石英或復(fù)合材料中的一種，微孔模具的型腔規(guī)格為400～500×500～600×10～12mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用自動(dòng)化注漿成型技術(shù)制備大規(guī)格ITO靶材的方法，其特征是：所述第三步中ITO靶材的相對(duì)密度＞99.5%，電阻率＜1.5×10^-4Ω·cm。