[發(fā)明專利]液晶面板以及液晶面板的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410505323.6
• 申請(qǐng)日: 2014-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104345510B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 封賓;洪永泰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

1.一種液晶面板，包括陣列基板以及與所述陣列基板對(duì)盒的對(duì)盒基板，所述陣列基板上設(shè)置有多條數(shù)據(jù)線及多條柵線，所述多條數(shù)據(jù)線與所述多條柵線交叉限定多個(gè)像素區(qū)域；所述陣列基板上還包括多個(gè)TFT，其特征在于，至少一個(gè)所述TFT所占的區(qū)域中包括內(nèi)含有溝道區(qū)域的不透光區(qū)域，所述溝道區(qū)域的邊界與所述不透光區(qū)域的邊界之間在平行于所述液晶面板的方向上的距離大于或等于設(shè)定距離d；

所述設(shè)定距離d為：

d=H×tan{arcsin(nairncell)}+(I)×tan{arcsin(nairncell)+α}]]>

其中，n_air為空氣的折射率，n_cell為所述液晶面板的平均折射率或所述陣列基板的第一襯底基板的折射率；

H為所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板的內(nèi)表面之間的距離或所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層的厚度數(shù)值g、陣列基板上柵絕緣層高度k、源/漏電極保護(hù)層高度h三者的和；

I為每一像素區(qū)域內(nèi)，所述溝道區(qū)域相鄰接的不透光結(jié)構(gòu)的面向所述對(duì)盒基板的表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板內(nèi)表面之間的垂直距離；

α取值為0°或θ，θ為光線由所述陣列基板射至所述對(duì)盒基板的與所述陣列基板相對(duì)的表面時(shí)的反射角的漫反射增量；

或者，所述設(shè)定距離d為：

d=H×tan{arcsin(nairncell)}+(I)×tan{arcsin(nairncell)+α}]]>

其中，n_air為空氣的折射率，n_cell為所述液晶面板的平均折射率或所述陣列基板的第一襯底基板的折射率；

H為所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板的內(nèi)表面之間的距離或所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層的厚度數(shù)值g、陣列基板上柵絕緣層高度k、源/漏電極保護(hù)層高度h三者的和；

α取值為0°或θ，θ為光線由所述陣列基板射至所述對(duì)盒基板的與所述陣列基板相對(duì)的表面時(shí)的反射角的漫反射增量；

I＝H-t，t為陣列基板上的TFT的高度，所述TFT的高度為所述TFT的最頂層不透光層的頂表面與所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面之間的距離；

或者，所述設(shè)定距離d為：

d=H×tan{arcsin(nairncell)}+(I)×tan{arcsin(nairncell)+α}]]>

其中，n_air為空氣的折射率，n_cell為所述液晶面板的平均折射率或所述陣列基板的第一襯底基板的折射率；

H為所述陣列基板的第一襯底基板內(nèi)表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板的內(nèi)表面之間的距離或所述陣列基板與所述對(duì)盒基板之間的液晶層的厚度數(shù)值g、陣列基板上柵絕緣層高度k、源/漏電極保護(hù)層高度h三者的和；

I為每一像素區(qū)域內(nèi)，所述溝道區(qū)域相鄰接的不透光結(jié)構(gòu)的面向所述對(duì)盒基板的表面與所述對(duì)盒基板的第二襯底基板內(nèi)表面之間的垂直距離；

α取值為0°或θ，所述θ為光線由所述陣列基板射至所述對(duì)盒基板的與所述陣列基板相對(duì)的表面上的黑矩陣時(shí)的反射角的漫反射增量。