[發明專利]鰭式場效應晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201410505034.6
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN105513968B
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 殷華湘;張永奎;趙治國;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 王立民;胡湘根

1.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底，所述襯底上形成有鰭，鰭之間形成有隔離；

在鰭上形成柵介質層和偽柵極；

在偽柵極兩端的鰭上形成源漏區；

去除偽柵極以及柵介質層，以形成開口；

在開口底部通過氧化法形成替代柵介質層，在開口中填滿多晶硅以形成多晶替代柵極，并對多晶替代柵極進行摻雜，以進行晶體管器件的閾值電壓的調節。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述鰭形成在體硅襯底中，形成隔離的步驟包括：進行隔離材料的淀積；進行平坦化；去除部分厚度的隔離材料，以形成隔離。

3.根據權利要求2所述的制造方法，其特征在于，在進行平坦化與去除部分厚度的隔離材料的步驟之間，還包括步驟：進行離子注入，以在鰭中形成穿通阻擋層。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，通過選擇性外延在偽柵堆疊兩端的鰭上形成源漏區。

5.根據權利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述源漏區上形成有接觸刻蝕停止層。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，多晶替代柵極選自多晶Si、多晶SiGe、多晶Si:C、多晶Si:H、多晶Ge、多晶SiGeC、多晶GeSn、多晶SiSn、多晶InP、多晶GaN、多晶InSb、多晶碳化半導體的任意一種或其組合。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，對多晶替代柵進行摻雜的方法包括原位或者離子注入摻雜。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，對于pFinFET器件，多晶替代柵極摻雜的雜質為p型雜質，選自B、In、Ga、Al、Mg、Sn的任一種及其組合；對于nFinFET器件，多晶替代柵極中摻雜的雜質為n型雜質，選自P、As、Te、Se、Sb、S的任一種及其組合。