[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410504930.0
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN104269416A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡偉;朱亞文;莫再隆;代科;樓鈺
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：同層設(shè)置的源漏電極線圖形和像素電極圖形，形成在所述源漏電極線圖形和像素電極圖形之上的第一絕緣層，形成在所述第一絕緣層之上的公共電極圖形；其中，

所述第一絕緣層在位于所述源漏電極線圖形與所述像素電極圖形之間的部分形成有沿源漏電極線方向的條狀開口，所述公共電極圖形包括位于漏電極線圖形和像素電極圖形上方的主體部分，以及覆蓋在所述條狀開口的至少一個長側(cè)壁上的延伸部分，所述延伸部分與所述主體部分連接形成一體結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述條狀開口分布在源漏電極線的兩側(cè)，所述延伸部分覆蓋在各個條狀開口鄰近源漏電極線的長側(cè)壁上，并與位于源漏電極線上方的主體部分連接形成半封閉結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：基底、形成在基底上的柵電極圖形、形成在所述基底和所述柵電極圖形上的第二絕緣層，形成在所述第二絕緣層上的有源層；所述源漏電極線圖形和所述像素電極圖形形成在所述有源層上。

4.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任一項所述的陣列基板。

5.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在同層設(shè)置的源漏電極線圖形和像素電極圖形之上形成第一絕緣層；所述第一絕緣層在位于所述源漏電極線圖形與所述像素電極圖形之間的部分形成有沿源漏電極線方向的條狀開口；

形成公共電極圖形；所述公共電極圖形包括位于漏電極線圖形和像素電極圖形上方的主體部分，以及覆蓋在所述條狀開口的至少一個長側(cè)壁上的延伸部分，所述延伸部分與所述主體部分連接形成一體結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在同層設(shè)置的源漏電極線圖形和像素電極圖形之上以及所述源漏電極線圖形和所述像素電極圖形之間形成第一絕緣層包括：

在形成了源漏電極線圖形和像素電極圖形的基板之上形成覆蓋整個基板的絕緣材料層；

對絕緣材料層進(jìn)行圖案化得到所述第一絕緣層。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述對絕緣材料層進(jìn)行圖案化得到所述第一絕緣層包括：

利用掩膜板對絕緣材料層進(jìn)行曝光顯影；其中所述掩膜板包括對應(yīng)于所述條狀開口的透光區(qū)域圖形。

8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成公共電極圖形，包括：

在形成有源漏電極線圖形、像素電極圖形、第一絕緣層的基板上形成覆蓋整個基板的公共電極材料；

對絕緣材料層進(jìn)行圖案化得到所述公共電極圖形。

9.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述條狀開口分布在源漏電極線的兩側(cè)，所述延伸部分覆蓋在各個條狀開口鄰近源漏電極線的長側(cè)壁上，并與位于源漏電極線上方的主體部分連接形成半封閉結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求5-9任一項所述的方法，其特征在于，還包括：

在基底上形成柵電極圖形；

在所述柵電極圖形和所述基底之上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層之上形成有源層；

在所述有源層之上形成源漏電極線圖形和像素電極圖形。