[發明專利]鰭式場效應管的形成方法

有效

• 申請號: 201410504671.1
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN105513966B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 何有豐
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種鰭式場效應管的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成鰭；

在所述襯底上形成柵極結構，所述柵極結構橫跨至少一個所述鰭，并覆蓋所述鰭的側壁與頂部；

在所述鰭的側壁形成側墻；

對所述柵極結構兩側的部分鰭進行刻蝕以在鰭中形成第一凹槽；

使位于所述第一凹槽側壁部分的鰭轉變為氧化物；

去除所述氧化物，剩余的鰭與所述側墻形成第二凹槽；

分別在柵極結構兩側的第二凹槽中填充材料層，以形成源極和漏極。

2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一凹槽為V形或者U形結構。

3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在襯底上形成鰭的步驟包括：形成硅材料的鰭；

在鰭的側壁形成側墻的步驟包括：形成氮化物材料的側墻。

4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，對鰭進行刻蝕以形成第一凹槽的步驟包括：采用干法蝕刻以形成所述第一凹槽。

5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，使位于所述第一凹槽的側壁部分的鰭轉變為氧化物的步驟包括：采用干法氧化使位于所述第一凹槽側壁部分的鰭轉變為氧化物。

6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用氧氣或者臭氧使所述位于第一凹槽側壁部分的鰭氧化，以形成所述氧化物。

7.如權利要求6所述的形成方法，其特征在于，采用氧氣使所述位于第一凹槽側壁部分的鰭氧化的步驟包括：

使溫度在100～300攝氏度的范圍內，使壓強在5～760托的范圍內，氧氣的流量在0.1～20標準升每分鐘。

8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，使位于所述第一凹槽側壁部分的鰭轉變為氧化物的步驟包括：采用濕法氧化使位于所述第一凹槽側壁部分的鰭轉變為氧化物。

9.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用水蒸氣使所述位于第一凹槽側壁部分的鰭氧化，以形成所述氧化物。

10.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于，采用氫氣和氧氣形成水蒸氣進而通過所述水蒸氣使所述位于第一凹槽側壁部分的鰭氧化，以形成所述氧化物。

11.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，采用水蒸氣使所述位于第一凹槽側壁部分的鰭氧化的步驟包括：使溫度在100～300攝氏度的范圍內，使壓強在5～760托的范圍內，氧氣的流量在0.1～20標準升每分鐘的范圍內，氫氣的流量在0.1～10標準升每分鐘的范圍內。

12.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，使位于所述第一凹槽側壁部分的鰭轉變為氧化物之后，去除所述氧化物的步驟之前，所述形成方法還包括：去除位于鰭附近的剩余氣體。

13.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述第二凹槽中形成源極和漏極的步驟包括：采用外延生長的方式在所述第二凹槽中填充材料層，以形成源極和漏極。

14.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，使鰭被氧化的厚度范圍為0.5～5納米。

15.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供襯底的步驟包括，提供包括NMOS區域以及PMOS區域的襯底；

在襯底上形成鰭的步驟包括：分別在NMOS區域以及PMOS區域的襯底上形成鰭；

在所述襯底上形成柵極結構的步驟包括：分別在NMOS區域以及PMOS區域的鰭上形成P型柵極結構和N型柵極結構；

在所述第二凹槽中形成源極和漏極的步驟包括：分別在P型柵極結構兩側的第二凹槽中形成碳化硅材料，以形成源極和漏極；分別在N型柵極結構兩側的第二凹槽中形成鍺硅材料，以形成源極和漏極。