[發明專利]取用TEOS的PECVD制備納米涂層的方法在審
| 申請號： | 201410503353.3 | 申請日： | 2014-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN104264442A | 公開（公告）日： | 2015-01-07 |
| 發明（設計）人： | 陳正士;板本昇一郎;蔡依廷 | 申請（專利權）人： | 東莞市和域戰士納米科技有限公司 |
| 主分類號： | D06M10/08 | 分類號： | D06M10/08;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 523710 廣東省東莞市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 取用 teos pecvd 制備 納米 涂層 方法 | ||
1.取用TEOS的PECVD制備納米涂層的方法，其特征在于，它包括如下步驟：
（1）以紡織材料為基材，將其放置于PECVD鍍膜設備的反應室的平行電極板之間；
（2）將反應室抽真空至30-150mT?,通入惰性氣體，惰性氣體流量為200-300sccm,開啟射頻電源，調整功率為100-200W，在電極之間產生等離子體轟擊基材表面，進行清潔和活化處理；
（3）再將反應室抽真空至30-70mT，然后將經過加熱汽化后的TEOS氣體通入反應室，同時通入氧氣，再次調整射頻電源為100-200W，產生等離子體在基材表面沉積覆膜。
2.根據權利要求1所述的取用TEOS的PECVD制備納米涂層的方法，其特征在于：所述惰性氣體為氦氣或氬氣。
3.根據權利要求1所述的取用TEOS的PECVD制備納米涂層的方法，其特征在于：所述的TEOS的汽化加熱溫度在130-150℃，所述TEOS氣體的流量為20-50sccm。
4.根據權利要求1所述的取用TEOS的PECVD制備納米涂層的方法，其特征在于：所述氧氣流量為40-100sccm。
5.根據權利要求1所述的取用TEOS的PECVD制備納米涂層的方法，其特征在于：所述的清潔和活化處理步驟的時間為3-5min。
6.根據權利要求1所述的取用TEOS的PECVD制備納米涂層的方法，其特征在于：所述納米涂層厚度為100-300nm。
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