[發(fā)明專利]導(dǎo)電性構(gòu)件、處理盒和電子照相設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410503046.5
• 申請(qǐng)日: 2014-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN104516234B
• 公開（公告）日: 2017-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村中則文;山內(nèi)一浩;菊池裕一;大塚幸治;井本雅規(guī);日野哲男;西岡悟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G03G15/02
• 分類號(hào): G03G15/02;G03G21/18
• 代理公司: 北京魏?jiǎn)W(xué)律師事務(wù)所11398
• 代理人: 魏?jiǎn)W(xué)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及通過放電使被充電構(gòu)件充電的導(dǎo)電性構(gòu)件，特別是，可用作用于電子照相設(shè)備的充電構(gòu)件、轉(zhuǎn)印構(gòu)件等的導(dǎo)電性構(gòu)件，以及使用該導(dǎo)電性構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。

背景技術(shù)

通過放電使被充電構(gòu)件充電的導(dǎo)電性構(gòu)件用于電子照相設(shè)備、臭氧產(chǎn)生設(shè)備、除電設(shè)備、空氣濾清器、靜電集塵器、靜電涂布設(shè)備或靜電吸附設(shè)備等。特別是，電子照相設(shè)備中，例如，使用如充電構(gòu)件或轉(zhuǎn)印構(gòu)件等導(dǎo)電性構(gòu)件。

電子照相設(shè)備中，將導(dǎo)電性構(gòu)件與包括用作被充電構(gòu)件的電子照相感光構(gòu)件或介電構(gòu)件的記錄介質(zhì)接觸配置或接近配置，并且由于通過重疊交流電壓獲得的直流電壓或僅直流電壓的施加使得通過放電使此類被充電構(gòu)件的表面進(jìn)行充電處理。

近幾年，隨著電子照相圖像形成過程的高速化，使被充電構(gòu)件充電所花費(fèi)的時(shí)間已相對(duì)較短。該趨勢(shì)對(duì)于使被充電構(gòu)件穩(wěn)定地且可靠地充電是不利的。具體地，電子照相圖像形成過程的高速化使得難以賦予被充電構(gòu)件表面充分的充電電位。鑒于該問題，日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2005-316263公開了其中充電構(gòu)件的最外層包含鐵電顆粒從而導(dǎo)致介電常數(shù)的增加，由此導(dǎo)致放電電流量的增加的技術(shù)。

此外，日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2004-245933公開了其中位于多層充電構(gòu)件的表面層以下的至少一層為電阻高的層從而使得充電性能改善的技術(shù)。

根據(jù)本發(fā)明人的研究，為了在高速化的電子照相圖像形成過程中賦予被充電構(gòu)件充分的充電電位，需要提高施加至導(dǎo)電性構(gòu)件的電壓。然而，當(dāng)提高日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2005-316263和日本專利申請(qǐng)?zhí)亻_2004-245933各自公開的充電構(gòu)件的施加的電壓時(shí)，可能誘發(fā)局部的強(qiáng)放電(以下，也稱為“異常放電”)，從而妨礙穩(wěn)定放電并且由于異常放電引起從幾十微米至幾毫米范圍內(nèi)的圖像不均勻。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供具有穩(wěn)定的充電性能使得即使當(dāng)施加電壓提高時(shí)也幾乎不引起異常放電的導(dǎo)電性構(gòu)件。

此外，本發(fā)明的目的是提供能夠穩(wěn)定地形成高品質(zhì)電子照相圖像的電子照相設(shè)備和處理盒。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種導(dǎo)電性構(gòu)件，其包括：導(dǎo)電性支承體，和形成于導(dǎo)電性支承體上的表面層，其中

表面層包括具有連續(xù)開孔的多孔體，和

導(dǎo)電性構(gòu)件滿足以下(1)和(2)：

(1)在導(dǎo)電性構(gòu)件的表面帶電的情況下，從放電完成經(jīng)過10秒后的導(dǎo)電性構(gòu)件的表面電位為10V以上，所述導(dǎo)電性構(gòu)件的表面的帶電利用電暈放電單元、通過將8kV的電壓施加至電暈放電單元并從其放電來進(jìn)行，所述電暈放電單元配置為電暈放電單元的柵格部距導(dǎo)電性構(gòu)件的表面1mm；和

(2)當(dāng)在作為被充電構(gòu)件的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜與導(dǎo)電性構(gòu)件之間施加直流電壓，并且使聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜充電時(shí)，在|Vin|>|Vth|的范圍內(nèi)滿足|Vd|≥|Vin|-|Vth|，

其中，

Vd表示聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜的充電電位，

Vin表示在導(dǎo)電性構(gòu)件與聚對(duì)苯二甲酸乙二酯膜之間施加的電壓，

Vth表示放電起始電壓。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供處理盒，其構(gòu)成為可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體，所述處理盒包括導(dǎo)電性構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供包括導(dǎo)電性構(gòu)件和電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備。

參考附圖，從以下示例性實(shí)施方案的描述中，本發(fā)明的進(jìn)一步特征將變得顯而易見。

附圖說明

圖1為示出導(dǎo)電性構(gòu)件的放電特性的一個(gè)實(shí)例的圖。

圖2A為示出垂直于作為導(dǎo)電性構(gòu)件的一個(gè)實(shí)例的充電輥的軸方向的截面的圖。

圖2B為示出垂直于作為導(dǎo)電性構(gòu)件的一個(gè)實(shí)例的充電輥的軸方向的截面的圖。

圖3為用于說明作為表面層的制造方法的一個(gè)實(shí)例的電紡絲法的圖。

圖4為通過電紡絲法制備的表面層的截面圖像。

圖5為通過利用斯賓那多分解(spinodal decomposition)的方法制備的表面層的截面圖像。

圖6為示出電子照相用處理盒的一個(gè)實(shí)例的圖。

圖7為示出電子照相設(shè)備的一個(gè)實(shí)例的圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。