[發明專利]一種磷光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201410502997.0
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN104377307B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 郝玉英;袁樹青;范學東;張葉;苗艷勤;朱媛莉;王華
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 太原市科瑞達專利代理有限公司14101
• 代理人: 李富元

1.一種磷光二極管，其特征在于：該磷光二極管的陽極層為導電的氧化銦錫，陽極層的上層為空穴注入層三氧化鉬層，空穴注入層的上層為空穴傳輸層，即為質量百分比占15%的三氧化鉬和質量百分比占85%的4，4ˊ-N，Nˊ-二咔唑-聯苯CBP的混合層，空穴傳輸層的上層為隔離層CBP層，隔離層的上層為第一發光層，即為質量百分比占4%的三(2-苯基吡啶)銥Ir(ppy)3和質量百分比占96%的CBP的混合層，第一發光層的上層為第二發光層，即為質量百分比占8%的Ir(ppy)3和質量百分比占92%的CBP的混合層，第二發光層的上層為第三發光層，即為質量百分比占4%的Ir(ppy)3和質量百分比占96%的CBP的混合層，第三發光層的上層為第四發光層，即為質量百分比占8%的Ir(ppy)3和質量百分比占92%的CBP的混合層，第四發光層的上層為第五發光層，即為質量百分比占4%的Ir(ppy)3和質量百分比占96%的CBP的混合層，第五發光層的上層為第六發光層，即為質量百分比占8%的Ir(ppy)3和質量百分比占92%的CBP的混合層，第六發光層的上層為電子傳輸層4,7-二苯基-1,10-菲羅啉Bphen層，電子傳輸層的上層為電子注入層氟化鋰層，電子注入層的上層為陰極層鋁層。

2.制作權利要求1所述的一種磷光二極管的方法，其特征在于按照如下的步驟進行：

步驟一，用脫脂棉蘸乙醇擦拭清潔氧化銦錫導電玻璃；

步驟二，以導電玻璃的氧化銦錫面為正面，在正面中間粘貼透明膠帶，放入鹽酸+鋅刻蝕液中刻蝕導電玻璃5?min后取出，晾干；

步驟三，揭去導電玻璃上的透明膠帶，用去污粉蘸去離子水清洗導電玻璃，再用去離子水沖洗導電玻璃；

步驟四，將導電玻璃置于超聲波清洗器中，加入去離子水，超聲清洗15?min后晾干；

步驟五，將導電玻璃置于超聲波清洗器中，加入丙酮，超聲清洗15?min后晾干；

步驟六，將導電玻璃置于紫外光照射箱中，開啟紫外光源，紫外光功率10?W、波長254?nm，照射時間25?min；

步驟七，在真空蒸鍍爐中，在導電玻璃氧化銦錫面上沉積生長成三氧化鉬平面膜層，膜層生長速率維持在0.01?nm/s，膜層厚度為1?nm?±?0.2?nm；

步驟八，在真空蒸鍍爐中，在三氧化鉬平面膜層上沉積生長成三氧化鉬和CBP平面膜層，控制三氧化鉬在三氧化鉬和CBP混合薄膜中所占的質量百分比為15%，控制三氧化鉬和CBP混合薄膜生長速度維持在0.1?nm/s，三氧化鉬和CBP混合薄膜厚度為30?nm?±?0.2?nm；

步驟九，在真空蒸鍍爐中，在步驟八的薄膜面上沉積生長成CBP平面膜層，膜層生長速率維持在0.1?nm/s，膜層厚度為10?nm?±?0.2?nm；

步驟十，在真空蒸鍍爐中，在步驟九的薄膜面上沉積生長成CBP和Ir(ppy)3平面膜層，控制Ir(ppy)3在CBP和Ir(ppy)3混合薄膜中所占的質量百分比為4%，混合薄膜生長速度維持在0.1?nm/s，混合薄膜厚度為5?nm?±?0.2?nm；

步驟十一，在真空蒸鍍爐中，在步驟十的薄膜面上沉積生長成CBP和Ir(ppy)3平面膜層，控制Ir(ppy)3在CBP和Ir(ppy)3混合薄膜中所占的質量百分比為8%，混合薄膜生長速度維持在0.1?nm/s，混合薄膜厚度為5?nm?±?0.2?nm；

步驟十二，在真空蒸鍍爐中，在步驟十一的薄膜面上沉積生長成CBP和Ir(ppy)3平面膜層，控制Ir(ppy)3在CBP和Ir(ppy)3混合薄膜中所占的質量百分比為4%，混合薄膜生長速度維持在0.1?nm/s，混合薄膜厚度為5?nm?±?0.2?nm；

步驟十三，在真空蒸鍍爐中，在步驟十二的薄膜面上沉積生長成CBP和Ir(ppy)3平面膜層，控制Ir(ppy)3在CBP和Ir(ppy)3混合薄膜中所占的質量百分比為8%，混合薄膜生長速度維持在0.1?nm/s，混合薄膜厚度為5?nm?±?0.2?nm；

步驟十四，在真空蒸鍍爐中，在步驟十三的薄膜面上沉積生長成CBP和Ir(ppy)3平面膜層，控制Ir(ppy)3在CBP和Ir(ppy)3混合薄膜中所占的質量百分比為4%，混合薄膜生長速度維持在0.1?nm/s，混合薄膜厚度為5?nm?±?0.2?nm；

步驟十五，在真空蒸鍍爐中，在步驟十四的薄膜面上沉積生長成CBP和Ir(ppy)3平面膜層，控制Ir(ppy)3在CBP和Ir(ppy)3混合薄膜中所占的質量百分比為8%，混合薄膜生長速度維持在0.1?nm/s，混合薄膜厚度為5?nm?±?0.2?nm；

步驟十六，在真空蒸鍍爐中，在步驟十五的薄膜面上沉積生長成Bphen平面膜層，膜層生長速率維持在0.1?nm/s，膜層厚度為40?nm?±?0.2?nm；

步驟十七，在真空蒸鍍爐中，在步驟十六的薄膜面上沉積生長成氟化鋰平面膜層，膜層生長速率維持在0.01?nm?/?s，膜層厚度為1?nm?±?0.2?nm；

步驟十八，在真空蒸鍍爐中，在步驟十七的薄膜面上沉積生長成鋁平面膜層，膜層生長速率維持在0.5?nm?/?s，膜層厚度為120?nm?±?0.2?nm；

步驟十九，從真空蒸鍍爐中取出步驟十八鍍上多層膜的導電玻璃用環氧樹脂材料封裝，放入充有氮氣的玻璃盒內部，得到最終產物發光層磷光染料摻雜濃度高低交替堆疊的二極管。