[發(fā)明專(zhuān)利]氮化硅納米帶高靈敏壓力傳感器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410501512.6
• 申請(qǐng)日: 2014-09-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104776945B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高鳳梅;畢精會(huì);尉國(guó)棟;鄭金桔;尚明輝;楊祚寶;楊為佑
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 寧波工程學(xué)院
• 主分類(lèi)號(hào): G01L1/18
• 分類(lèi)號(hào): G01L1/18;C01B21/068
• 代理公司: 寧波市鄞州盛飛專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 33243
• 代理人: 張向飛

1.一種Si₃N₄納米帶高靈敏壓力傳感器的制備方法，其包括以下具體步驟：

1)材料制備：將原料聚硅氮烷和異丙醇鋁兩種有機(jī)前驅(qū)體，按重量比95:5比例，置于球磨罐中行星球磨，使得原料混合反應(yīng)均勻；然后將所得前驅(qū)體在N₂保護(hù)氣氛下以10℃/min從室溫升溫到260℃，保溫0.5小時(shí)進(jìn)行低溫交聯(lián)固化，得到非晶態(tài)固體，經(jīng)高能球磨磨粉碎后，球磨的同時(shí)引入3wt％Al金屬粉末用作催化劑；最后將高能球磨得到的粉體，在N₂保護(hù)氣氛下以20℃/min從室溫升溫到1550℃于1550℃保溫2小時(shí)，進(jìn)行高溫?zé)峤猓苽銼i₃N₄單晶納米帶；

所述Si₃N₄單晶納米帶表面光潔，厚度為50nm，寬度為800nm；

2)壓力傳感器構(gòu)建：將Si₃N₄納米帶超聲分散在乙醇中，然后滴灑在高定向石墨片上，在原子力顯微鏡導(dǎo)電模式下構(gòu)建Si₃N₄納米帶壓力傳感器，通過(guò)探針施加不同壓力，實(shí)現(xiàn)不同壓力下的電信號(hào)檢測(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Si₃N₄納米帶高靈敏壓力傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟(1)和(2)中所采用的壓力傳感器功能單元為單晶Si₃N₄納米帶。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的Si₃N₄納米帶高靈敏壓力傳感器的制備方法，其特征在于：所述步驟(2)中所制備的Si₃N₄壓力傳感器，能夠?qū)崿F(xiàn)nN量級(jí)力的反饋和探測(cè)，具有高靈敏性。