[發(fā)明專利]陣列基板及顯示器在審
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410500511.X | 申請(qǐng)日: | 2014-09-25 |
公開(公告)號(hào): | CN104269415A | 公開(公告)日: | 2015-01-07 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周士翔;周政盈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國(guó) |
地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 顯示器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種陣列基板及顯示器,且特別是有關(guān)于一種具有特殊結(jié)構(gòu)的扇出線路的陣列基板以及具有此陣列基板的顯示器。
背景技術(shù)
顯示面板具有主動(dòng)區(qū)(active?area)以及周邊線路區(qū)(peripheral?circuit?area)。通常,主動(dòng)區(qū)會(huì)經(jīng)由其中的信號(hào)線電性連接至周邊線路區(qū),進(jìn)而與控制信號(hào)或接收信號(hào)的驅(qū)動(dòng)晶片電性連接。一般而言,驅(qū)動(dòng)晶片有特定的尺寸設(shè)計(jì),所以周邊線路會(huì)由連接信號(hào)線的一端向驅(qū)動(dòng)晶片所在的區(qū)域集中而構(gòu)成扇出線路(fan-out?circuit)。
扇出線路具有多條扇出導(dǎo)線(fan-out?wire)。在公知的扇出線路制程或是顯示面板的切割制程中,扇出導(dǎo)線容易有表層刮傷甚至是斷線等問題,因此容易導(dǎo)致面板的顯示效果下降。有鑒于此,如何有效地避免扇出導(dǎo)線受到刮傷或發(fā)生斷線問題,將是本領(lǐng)域中一個(gè)非常重要的課題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板,所述陣列基板中的扇出導(dǎo)線受到有效地保護(hù),因此具有所述陣列基板的顯示器能夠具有良好的顯示品質(zhì)。
本發(fā)明的陣列基板包括多條扇出導(dǎo)線、多個(gè)浮置圖案以及絕緣層。多條扇出導(dǎo)線位于基底上。多個(gè)浮置圖案配置于扇出導(dǎo)線上且電性絕緣于扇出導(dǎo)線,其中各浮置圖案僅與兩相鄰扇出導(dǎo)線或僅與三相鄰扇出導(dǎo)線重疊。絕緣層位于扇出導(dǎo)線以及浮置圖案之間。
本發(fā)明的顯示器包括如上所述的陣列基板以及配置在陣列基板上的顯示層。
基于上述,在本發(fā)明的陣列基板中,浮置圖案配置在扇出導(dǎo)線上,因此浮置圖案可避免扇出導(dǎo)線受到表面刮傷或斷線。此外,當(dāng)經(jīng)由后續(xù)制程而在浮置圖案上配置保護(hù)層時(shí),浮置圖案可使得保護(hù)層的高度提高,且經(jīng)由浮置圖案與扇出導(dǎo)線的配置方式,可進(jìn)一步提高保護(hù)層的保護(hù)效果。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
附圖說明
圖1是依照本發(fā)明的一實(shí)施方式的陣列基板的上視示意圖。
圖2A為圖1的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
圖2B為沿圖2A的I-I'線的剖面示意圖。
圖3A為本發(fā)明第一實(shí)施方式的扇出線路結(jié)構(gòu)的局部示意圖。
圖3B為沿圖3A的A-A'線所截取的放大剖面示意圖。
圖4A為本發(fā)明第二實(shí)施方式的扇出線路結(jié)構(gòu)的局部示意圖。
圖4B為沿圖4A的B-B'線所截取的放大剖面示意圖。
圖5A為本發(fā)明第三實(shí)施方式的扇出線路結(jié)構(gòu)的局部示意圖。
圖5B為沿圖5A的C-C'線所截取的放大剖面示意圖。
圖6A為本發(fā)明第三實(shí)施方式的扇出線路結(jié)構(gòu)的局部示意圖。
圖6B為沿圖6A的D-D'線所截取的放大剖面示意圖。
圖7A為本發(fā)明第三實(shí)施方式的扇出線路結(jié)構(gòu)的局部示意圖。
圖7B為沿圖7A的E-E'線所截取的放大剖面示意圖。
圖8是依照本發(fā)明的一實(shí)施方式的顯示器的剖面示意圖。
其中,附圖標(biāo)記
1:顯示器
10:陣列基板
12:對(duì)向基板
14:顯示層
18:浮置圖案區(qū)
30、40、50、60、70:扇出線路結(jié)構(gòu)
102:主動(dòng)區(qū)
104:扇出線路區(qū)
100:基底
202:閘極
204:閘絕緣層
206:通道層
208:源/汲極
210:薄膜電晶體
220:有機(jī)絕緣層
230:接觸窗
240:像素電極
310、610:扇出導(dǎo)線
311、611:間隔
312、613、615:扇出導(dǎo)線的邊緣
320、420、520、620、720:浮置圖案
330:絕緣層
322、522、622:浮置圖案的邊緣
340:保護(hù)層
612:第一扇出導(dǎo)線
614:第二扇出導(dǎo)線
630:第一絕緣層
640:第二絕緣層
A-A'、B-B'、C-C'、D-D'、E-E'、I-I':線
d1、d2、d3、d4、d5、d6、d7、d8、d9、d10:寬度
DL:資料線
II、III:區(qū)域
P:像素結(jié)構(gòu)
SL:掃描線
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的