[發明專利]一種基于光柵泰伯效應的檢焦方法有效
| 申請號: | 201410500277.0 | 申請日: | 2014-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN104238284A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 朱咸昌;胡松;趙立新 | 申請(專利權)人: | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251 | 代理人: | 楊學明;顧煒 |
| 地址: | 610209 *** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 光柵 效應 方法 | ||
1.一種基于光柵泰伯效應的檢焦方法,其特征在于:檢測系統由光源(1)、光束準直擴束系統(2)、第一透鏡組(Lens_1)和第二透鏡組(Lens_2)組成的4f光學系統、被測硅片(3)、衍射光柵(4)和CCD探測器(5)組成;第一透鏡組(Lens_1)和第二透鏡組(Lens_2)組成的4f光學系統:當被測硅片(3)位于4f系統的共焦面上時,準直擴束系統(2)的出射平面波前經過4f光學系統后仍為平面波前,并通過衍射光柵(4)形成其泰伯自成像;當被測硅片(3)離焦時,光束準直擴束系統(2)的出射平面波前經過4f光學系統后為球面波前,衍射光柵(4)的泰伯自成像的周期和位相產生差異,通過CCD探測器(5)完成平面和球面波前的泰伯自成像測量,即可完成硅片的檢焦測量。
2.根據權利要求1所述的檢焦方法,其特征在于:當被測硅片(3)位于4f光學系統的共焦位置時,平面波前通過衍射光柵(4)成像,根據光柵衍射原理,平面波前A入射光柵時,CCD探測器(5)中形成周期性的干涉條紋即泰伯自成像周期與衍射光柵(4)周期p相同;當被測硅片(3)離焦時,CCD探測器(5)中產生由球面波前產生的干涉條紋,分析其周期為:
其中衍射光柵(4)位于第二透鏡組(Lens_2)的后焦面位置,L為球面波前會聚中心與光柵距離,s為硅片離焦量,f為第二透鏡組(Lens_2)的焦距,通過測量衍射光柵(4)的泰伯自成像周期其相位差,即可完成被測硅片(3)的高精度檢焦。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院光電技術研究所,未經中國科學院光電技術研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410500277.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





