[發明專利]LDMOS器件及其制造方法有效
| 申請號： | 201410499784.7 | 申請日： | 2014-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN105514160B | 公開（公告）日： | 2019-05-07 |
| 發明（設計）人： | 李勇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 張海強 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜區 襯底 柵極結構 交疊 半導體技術領域 淺溝槽隔離 導電類型 凹陷 制造 | ||
1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底中具有相鄰的第一摻雜區和第二摻雜區，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區具有不同的導電類型；所述第二摻雜區中具有淺溝槽隔離STI區；
位于襯底上的柵極結構；
其中，所述襯底上形成有第一鰭片結構和第二鰭片結構，所述第一鰭片結構包括第一摻雜區的一部分和第二摻雜區的一部分，所述第二鰭片結構包括第二摻雜區的一部分，所述STI區位于所述第一鰭片結構和第二鰭片結構之間的第二摻雜區中；
所述柵極結構橫跨于所述第一鰭片結構上，且與所述第一鰭片結構的第二摻雜區不交疊，或者交疊小于50nm。
2.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：在第一鰭片結構中形成的源區；以及在第二鰭片結構中形成的漏區。
3.根據權利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：
在第一摻雜區中形成的源區；
在第二摻雜區中形成的漏區；
所述STI區位于柵極結構與所述漏區之間的第二摻雜區中。
4.根據權利要求2或3所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：
位于所述漏區與所述柵極結構之間的偽柵結構。
5.根據權利要求4所述的器件，其特征在于，所述偽柵結構中的至少一個與所述漏區交疊。
6.根據權利要求5所述的器件，其特征在于，所述器件還包括：
與所述源區交疊的偽柵結構。
7.根據權利要求4所述的器件，其特征在于，所述偽柵結構包括偽柵；或者包括偽柵和偽柵氧化層。
8.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述偽柵結構的長度為0.010～0.1um，所述偽柵結構的密度為5～30％。
9.一種LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供襯底結構，所述襯底結構包括襯底，所述襯底中形成有相鄰的第一摻雜區和第二摻雜區，所述第一摻雜區和所述第二摻雜區具有不同的導電類型；其中，所述第二摻雜區中形成有STI區；
在所述第一摻雜區上形成柵極結構，所述柵極結構與所述第二摻雜區基本不交疊；
其中，所述襯底上形成有第一鰭片結構和第二鰭片結構，所述第一鰭片結構包括第一摻雜區的一部分和第二摻雜區的一部分，所述第二鰭片結構包括第二摻雜區的一部分，所述STI區位于第一鰭片結構和第二鰭片結構之間的第二摻雜區中；
所述在所述第一摻雜區上形成柵極結構，所述柵極結構與所述第二摻雜區基本不交疊包括：
形成橫跨在所述第一鰭片結構上的所述柵極結構，所述柵極結構與所述第一鰭片結構的第二摻雜區不交疊，或交疊小于50nm。
10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
對柵極結構兩側的第一摻雜區和第二摻雜區進行刻蝕，形成凹陷；
在所述凹陷中外延生長半導體材料，分別形成源區和漏區。
11.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述柵極結構包括：
在除了STI區之外的所述襯底結構上形成氧化層；
在形成所述氧化層后的襯底結構上形成柵極材料；
圖案化所述柵極材料和所述氧化層，形成所述柵極結構。
12.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，形成柵極結構時還在第二鰭片結構和柵極結構之間形成偽柵結構。
13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述偽柵結構中的至少一個與第二鰭片結構交疊。
14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，形成柵極結構時還形成橫跨第二鰭片結構的偽柵結構。
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