[發(fā)明專利]一種用于氫化物氣相外延（HVPE）生長的加熱裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410499656.2
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104264218A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發(fā)明（設計）人: 張茶根;張俊業(yè);劉鵬;趙紅軍;童玉珍;張國義
• 申請（專利權）人: 東莞市中鎵半導體科技有限公司;北京大學
• 主分類號: C30B25/10
• 分類號: C30B25/10;C30B25/16
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于氫化物氣相外延(HVPE)生長的加熱裝置，包括加熱爐和爐內加熱模塊(11)；其特征在于，所述加熱爐包括第一加熱溫區(qū)(3)、第二加熱溫區(qū)(4)、第三加熱溫區(qū)(5)、第四加熱溫區(qū)(6)、第五加熱溫區(qū)(7)以及加熱爐體(1)和加熱爐外殼(2)；所述各加熱溫區(qū)均設置多個加熱模塊及其內置溫度傳感器(14)；所述加熱模塊及其內置溫度傳感器(14)分別與自動控溫電路連接。

2.根據權利要求1所述一種用于氫化物氣相外延(HVPE)生長的加熱裝置，其特征在于，所述第二加熱溫區(qū)(4)在第三加熱溫區(qū)(5)與第一加熱溫區(qū)(3)之間以其面夾角為120°～160°銜接，第四加熱溫區(qū)(6)，在第三加熱溫區(qū)(5)與第五加熱溫區(qū)(7)之間以其面夾角為120°～160°銜接，從而第二、第三、第四加熱溫區(qū)，在加熱爐中空腔室內形成立體對稱聚焦型熱輻射加熱空間。

3.根據權利要求1所述一種用于氫化物氣相外延(HVPE)生長的加熱裝置，其特征在于，所述加熱爐體(1)內置各加熱溫區(qū)可分為輔助加熱溫區(qū)和材料生長加熱恒溫區(qū)；其中，第一加熱溫區(qū)(3)、第五加熱溫區(qū)(7)為輔助加熱溫區(qū)，而第二加熱溫區(qū)(4)、第三加熱溫區(qū)(5)、第四加熱溫區(qū)(6)為材料生長加熱恒溫區(qū)。

4.根據權利要求1所述一種用于氫化物氣相外延(HVPE)生長的加熱裝置，其特征在于，所述輔助加熱溫區(qū)內置加熱模塊為電熱絲加熱模塊(12)，所述各材料生長加熱恒溫區(qū)內置加熱模塊為電熱絲加熱模塊(12)或射頻加熱模塊(16)；所述電熱絲加熱模塊(12)內，是脈沖型雙層陣列均勻排布電熱絲(13)，所述射頻加熱模塊(16)內，是圓形雙層陣列均勻排布的射頻感應線圈(15)。

5.根據權利要求1所述一種用于氫化物氣相外延(HVPE)生長的加熱裝置，其特征在于，所述溫度傳感器(14)為耐高溫溫度傳感器。

6.根據權利要求1所述一種用于氫化物氣相外延(HVPE)生長的加熱裝置，其特征在于，所述爐內加熱模塊(11)為射頻加熱模塊(16)，其內設置圓形雙層陣列均勻排布的射頻感應線圈(15)和溫度傳感器(14)。