[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410498723.9
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104362125B
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發明（設計）人: 謝振宇
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

1.一種陣列基板的制作方法，包括形成薄膜晶體管的步驟，其特征在于，所述形成薄膜晶體管的步驟包括：

在基板上形成有源層圖案；

在所述有源層圖案上形成絕緣結構；

在所述絕緣結構中形成第一過孔，所述第一過孔延伸至所述有源層圖案中；

通過所述第一過孔對有源層圖案進行離子注入，形成離子注入區，所述離子注入區位于有源層圖案中；

在所述絕緣結構上形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極通過所述第一過孔與離子注入區的表面接觸，從而與有源層圖案電性接觸；

所述制作方法還包括形成存儲電容的步驟；

具體在所述基板上形成多晶硅膜層，對所述多晶硅膜層進行構圖工藝，形成包括有源層圖案和存儲電容的第一電極的圖案；

對所述有源層圖案除溝道區域以外的區域進行離子注入，形成第一摻雜多晶硅有源層，以及對第一電極的圖案進行離子注入，形成第二摻雜多晶硅有源層，作為存儲電容的第一電極；

在所述有源層圖案和第一電極上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成柵金屬層，對所述柵金屬層進行構圖工藝，形成包括柵電極和存儲電容的第二電極的圖案；

在所述柵電極和第二電極上形成層間絕緣層；

形成貫穿所述柵絕緣層和層間絕緣層的第一過孔，所述第一過孔延伸至所述第一摻雜多晶硅有源層中；

通過所述第一過孔對所述第一摻雜多晶硅有源層進行離子注入，形成離子注入區；

在所述層間絕緣層上形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極通過所述第一過孔與離子注入區的表面接觸，進而與第一摻雜多晶硅有源層電性接觸。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在所述有源層圖案和第一電極的圖案上形成光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光，顯影，形成光刻膠的圖案；

以所述光刻膠圖案為阻擋，對所述有源層圖案除溝道區域以外的區域進行離子注入，形成第一摻雜多晶硅有源層，以及對第一電極的圖案進行離子注入，形成第二摻雜多晶硅有源層，作為存儲電容的第一電極。

3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述陣列基板為有源矩陣有機發光二極管陣列基板；

所述制作方法還包括：

在所述源電極和漏電極上形成平坦層；

在所述平坦層中形成第二過孔，露出漏電極；

在所述平坦層上形成有機發光二極管的陰極，所述陰極通過所述第二過孔與漏電極電性接觸，所述存儲電容的第一電極與所述有機發光二極管的陰極電性連接。

4.一種陣列基板，包括薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

位于基板上的有源層圖案；

覆蓋所述有源層圖案的絕緣結構，所述絕緣結構中包括第一過孔，所述第一過孔延伸至所述有源層圖案中；

離子注入區，位于所述有源層圖案中且與所述第一過孔的位置對應的區域；

設置在所述絕緣結構上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極通過所述第一過孔與離子注入區的表面接觸，進而與有源層圖案電性接觸；

所述陣列基板還包括：存儲電容；

所述陣列基板還包括：位于基板上的第二摻雜多晶硅有源層圖案，作為所述存儲電容的第一電極；

所述有源層圖案包括多晶硅有源層和位于所述多晶硅有源層兩側的第一摻雜多晶硅有源層，所述離子注入區位于所述第一摻雜多晶硅有源層中；

覆蓋所述有源層圖案和第二摻雜多晶硅有源層的柵絕緣層；

設置在所述柵絕緣層上的柵電極和存儲電容的第二電極，所述柵電極和第二電極由同一柵金屬層形成；

覆蓋所述柵電極和第二電極的層間絕緣層，所述柵絕緣層和層間絕緣層中形成有第一過孔，所述第一過孔延伸至所述離子注入區中；

設置在所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極通過所述第一過孔與離子注入區表面接觸，進而與第一摻雜多晶硅有源層電性接觸。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為有源矩陣有機發光二極管陣列基板；

所述陣列基板還包括：

覆蓋源電極和漏電極的平坦層，所述平坦層中形成有第二過孔，露出漏電極；

設置在所述平坦層上的有機發光二極管的陰極，所述陰極通過所述第二過孔與漏電極電性接觸，所述存儲電容的第一電極與所述有機發光二極管的陰極電性連接。

6.一種顯示裝置，包括權利要求4或5所述的陣列基板。