[發(fā)明專利]發(fā)光器件及包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件和照明系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410498370.2
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN104518060B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔宰熏;崔榮宰;李浩準(zhǔn)
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/48
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 魏金霞;高源

1.一種發(fā)光器件，包括：

襯底；

以多個(gè)圖案的形式設(shè)置在所述襯底上的第一緩沖層；

在所述第一緩沖層的圖案上的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層的圖案上的第二緩沖層；

在所述第二緩沖層的圖案上的第二絕緣層；

在所述第二緩沖層的圖案和所述第二絕緣層的圖案周圍的第三緩沖層；以及

在所述第三緩沖層上的發(fā)光結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第二緩沖層的側(cè)表面布置成位于所述第一絕緣層的側(cè)表面和所述第二絕緣層的側(cè)表面的內(nèi)側(cè)，從而露出所述第二絕緣層的下邊緣和所述第一絕緣層的上邊緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述第一絕緣層的所述側(cè)表面和所述第二絕緣層的所述側(cè)表面布置成在同一豎直線上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述第三緩沖層水平地延伸而覆蓋所述第二絕緣層的下邊緣和所述第一絕緣層的上邊緣。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第二緩沖層的厚度大于所述第一絕緣層的厚度和所述第二絕緣層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，所述第二緩沖層的厚度在至的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一絕緣層的厚度等于所述第二絕緣層的厚度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第三緩沖層的晶格常數(shù)小于所述第二緩沖層的晶格常數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述第一緩沖層至所述第三緩沖層包含第III-V族化合物半導(dǎo)體或第II-VI族化合物半導(dǎo)體，其中所述第三緩沖層包含GaN。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中，所述第二緩沖層包含ZnO。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光器件，其中，所述第三緩沖層設(shè)置為與所述第二緩沖層的側(cè)表面鄰接。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層包含SiO₂或SiN_x。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述第一緩沖層包含AlN或Al₂O₃。

14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中的一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的有源層、以及在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，

所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層包含GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一者，并且被摻雜有N型摻雜劑，所述N型摻雜劑包括Si、Ge、Sn、Se和Te中的一者，

所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的至少一者，并且被摻雜有P型摻雜劑，所述P型摻雜劑包括Mg、Zn、Ca、Sr和Ba中的一者。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述第三緩沖層設(shè)置為與所述第二絕緣層的側(cè)表面鄰接。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述有源層包括InGaN阱層/GaN勢壘層。