[發(fā)明專利]金屬表面缺陷的處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410497869.1
• 申請(qǐng)日: 2014-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104282534B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉珩;占瓊;劉天建;周永亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所31272
• 代理人: 吳俊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬表面缺陷的處理方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷成熟發(fā)展，晶圓制造越來(lái)越廣泛的應(yīng)用于各種工藝環(huán)境中，與此同時(shí)，對(duì)晶圓制造的工藝控制的要求也越來(lái)越嚴(yán)格，任何微小的缺陷都會(huì)導(dǎo)致晶圓的良率降低甚至是導(dǎo)致晶圓失效。

鋁板表面的含氟晶體的異常生長(zhǎng)廣泛的存在于晶圓的制造工藝中，當(dāng)周圍的環(huán)境發(fā)生惡化或者晶圓的制造工藝發(fā)生異常改變時(shí)，異常的含氟晶體往往極易在金屬表面進(jìn)行生長(zhǎng)，并且會(huì)直接影響到晶圓的生產(chǎn)良率；而且該含氟晶體只要在金屬表面生長(zhǎng)之后極難去除，對(duì)晶圓的鍵合影響極大，傳統(tǒng)的處理工藝主要是通過(guò)控制工藝等待時(shí)間且以預(yù)防為主，但是未對(duì)該含氟晶體進(jìn)行處理，無(wú)法從根本上解決問(wèn)題，所以一旦含氟晶體產(chǎn)生將會(huì)給予產(chǎn)品造成極大的報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)；同時(shí)也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)率，削弱了工藝流程的可控性。

本發(fā)明人根據(jù)多年來(lái)從事半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域方面的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，細(xì)心觀察且研究，提出了一種設(shè)計(jì)合理且有效改善現(xiàn)有技術(shù)缺陷的技術(shù)方案。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種金屬表面缺陷的處理方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因無(wú)法從根本去除異常晶體并給予產(chǎn)品造成極大的報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)導(dǎo)致產(chǎn)品的生產(chǎn)率降低，工藝流程的可控性削弱的缺陷。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案為：

一種金屬表面缺陷的處理方法，其中，所述方法包括：

提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面設(shè)有Pad區(qū)域和非Pad區(qū)域，所述Pad區(qū)域的上表面具有缺陷晶體；

于所述非Pad區(qū)域的上表面覆蓋一掩膜層，并對(duì)所述Pad區(qū)域的上表面進(jìn)行干法處理，以將所述缺陷晶體轉(zhuǎn)變?yōu)榫w碎片；

去除所述掩膜層，并對(duì)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行濕法清洗處理，以去除所述晶體碎片；

對(duì)所述Pad區(qū)域的上表面進(jìn)行鈍化處理，以形成一層鈍化層。

較佳的，上述的金屬表面缺陷的處理方法，其中，所述Pad區(qū)域表面的材質(zhì)為金屬。

較佳的，上述的金屬表面缺陷的處理方法，其中，所述金屬為鋁。

較佳的，上述的金屬表面缺陷的處理方法，其中，所述晶體為含氟晶體。

較佳的，上述的金屬表面缺陷的處理方法，其中，所述干法處理為采用正離子轟擊所述Pad區(qū)域的上表面。

較佳的，上述的金屬表面缺陷的處理方法，其中，所述正離子的能量為2000～3000W。

較佳的，上述的金屬表面缺陷的處理方法，其中，所述掩膜層為光刻膠。

上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果：

本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬表面缺陷的處理方法，通過(guò)在非Pad區(qū)域表面上覆蓋一掩膜層，并采用高能量的正離子轟擊于Pad區(qū)域中的缺陷晶體使其變成晶體碎片，并進(jìn)行掩膜層去除、濕法清洗工藝，以完全去除缺陷晶體并形成一鈍化層保護(hù)Pad區(qū)域，通過(guò)本發(fā)明的技術(shù)方案可以完全去除Pad區(qū)域表面的缺陷晶體，極大的提高了產(chǎn)品的生產(chǎn)率，增強(qiáng)了工藝流程的可控性。

具體附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中金屬表面處理的工藝流程圖；

圖2a～2d是本發(fā)明實(shí)施例中金屬表面處理的原理結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的核心思想是：通過(guò)在非Pad區(qū)域的表面上覆蓋一掩膜層，并采用高能量的正離子轟擊于Pad區(qū)域中的缺陷晶體使其形成晶體碎片，之后移除掩膜層并進(jìn)行濕法清洗工藝以完全去除缺陷晶體，同時(shí)形成一鈍化層保護(hù)Pad區(qū)域。

下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但是不作為本發(fā)明的限定。

為可以完全去除Pad區(qū)域上表面異常的缺陷晶體，提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率，增強(qiáng)工藝流程的可控性，本發(fā)明提供了一種金屬表面缺陷的處理方法。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，如圖1所示為本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)Pad區(qū)域表面處理的工藝流程圖，其中Pad區(qū)域表面即為金屬材料。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，具體的，如圖2a所示，首先提供一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1表面設(shè)有兩種區(qū)域：Pad區(qū)域2和非Pad區(qū)域(圖中未示出)，Pad區(qū)域2即為用于后續(xù)封裝工藝時(shí)，在其表面焊接金屬絲并與其他管腳相連，以于將電位引出。其中，Pad區(qū)域2和非Pad區(qū)域均位于該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)1的上表面。