[發明專利]基于六氮五鈮薄膜的室溫紅外檢測器及其制備方法

在審

• 申請號: 201410496643.X
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104393091A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 康琳;涂學湊;徐磊;陳健;吳培亨
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/09;H01L31/18;G01J5/20
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種基于六氮五鈮薄膜的室溫紅外檢測器，其特征在于，包括硅襯底，所述硅襯底上的二氧化硅層，所述二氧化硅層上的六氮五鈮薄膜熱敏層，以及所述六氮五鈮薄膜熱敏層兩端與外部電路相連的金屬薄膜電極。

2.根據權利要求1所述基于六氮五鈮薄膜的室溫太赫茲檢測器，其特征在于，所述六氮五鈮薄膜熱敏層具有長方形微橋結構，厚度為120~150nm。

3.根據權利要求1所述基于六氮五鈮薄膜的室溫太赫茲檢測器，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為100nm。

4.根據權利要求1所述基于六氮五鈮薄膜的室溫太赫茲檢測器，其特征在于，所述二氧化硅層與硅襯底之間是空氣腔，所述空氣腔的深度為1~5μm。

5.一種制備如權利要求1所述室溫紅外檢測器的方法，包括如下步驟：

（1）在硅襯底上生長形成二氧化硅層；

（2）在二氧化硅層上磁控濺射生長六氮五鈮薄膜；

（3）在六氮五鈮薄膜上光刻并用剝離的方法制備金薄膜電極；

（4）光刻并刻蝕制備六氮五鈮薄膜熱敏層。

6.根據權利要求5所述制備室溫紅外檢測器的方法，其特征在于，還包括如下步驟：

（5）在所述六氮五鈮薄膜熱敏層兩側光刻，形成刻蝕窗口圖形；

（6）使用濕法刻蝕的方法將所述刻蝕窗口圖形暴露出來的二氧化硅層去掉，使二氧化硅層下面的硅襯底暴露出來；

（7）使用反應離子刻蝕將所述暴露出來的硅襯底刻蝕，從而形成空氣腔。

7.根據權利要求5所述制備室溫紅外檢測器的方法，其特征在于，所述六氮五鈮薄膜熱敏層具有長方形微橋結構，厚度為120~150nm。

8.根據權利要求5所述制備室溫紅外檢測器的方法，其特征在于，所述二氧化硅層的厚度為100nm。

9.根據權利要求5所述制備室溫紅外檢測器的方法，其特征在于，所述硅襯底為高阻硅襯底。

10.根據權利要求5所述室溫紅外檢測器的方法，其特征在于，所述空氣腔的深度為1~5μm。