[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410496008.1 | 申請日: | 2014-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN104465701B | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 佐藤敏浩 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人: | 楊宏軍,李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示裝置。
背景技術(shù)
有機電致發(fā)光顯示裝置具有用陽極和陰極夾著有機膜的結(jié)構(gòu)(參照專利文獻1)。通常,層疊多個有機膜,其中一層是發(fā)光層。為了在多個像素取得一種顏色(例如白色)的發(fā)光,將用于形成發(fā)光層的有機膜整體連續(xù)地設(shè)置?;蛘?,為了在多個像素取得多種顏色的發(fā)光,將用于形成發(fā)光層的有機膜按像素分離,但用于形成空穴注入層、電子注入層、空穴輸送層或電子輸送層等的有機膜連續(xù)設(shè)置。在任意情況下都是至少1層的有機膜在彼此相鄰的像素的范圍連續(xù)地設(shè)置。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2012-216338號公報
發(fā)明內(nèi)容
在高畫質(zhì)的顯示裝置中,由于像素的微細(xì)化,彼此相鄰的像素變得接近。為此,有時發(fā)生在某一像素產(chǎn)生的光進入相鄰的像素的情況。并且,在彼此相鄰的像素的顏色不同的情況下,有時存在產(chǎn)生混色的問題。另外,在專利文獻1中,公開了由于向相鄰像素的電流泄漏而引起應(yīng)非發(fā)光的像素發(fā)光的問題,但并未提及光自身進入相鄰像素這一問題。
本發(fā)明的目的在于防止彼此相鄰的像素的混色。
(1)本發(fā)明的有機電致發(fā)光顯示裝置有機電致發(fā)光顯示裝置,其特征在于,包括:襯底;設(shè)于所述襯底的多個像素電極;以載置于各個所述像素電極的至少周緣的方式設(shè)于彼此相鄰的所述像素電極之間的區(qū)域的絕緣層;包括公共層地設(shè)置的有機層,所述公共層將所述多個像素電極及所述絕緣層連續(xù)地覆蓋;設(shè)于所述有機層之上的公共電極;以及以覆蓋所述有機層及所述公共電極的方式配置的密封層,所述像素電極在包括所述周緣在內(nèi)的端部分別具有上表面凹入的凹部。根據(jù)本發(fā)明,由于在有機層發(fā)生的光在像素電極的凹部漫反射、擴散或折射,因此不容易被識別為相鄰像素的光。由此,可以防止彼此相鄰的像素的混色。
(2)在(1)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,所述絕緣層通過載置于各個所述像素電極的所述凹部,從而具有上表面凹入的凹部,所述公共層與所述絕緣層的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部。
(3)在(1)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,所述公共層與所述像素電極的所述凹部對應(yīng)地具有上表面凹入的凹部,所述絕緣層以避開各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分的方式載置于所述周緣,所述公共層的所述凹部與各個所述像素電極的所述凹部的所述至少一部分接觸。
(4)在(1)或(2)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,還具有設(shè)于各個所述像素電極之下的布線層,各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分與所述布線層電連接。
(5)在(3)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,還具有設(shè)于各個所述像素電極之下的布線層,各個所述像素電極的所述凹部的至少一部分與所述布線層電連接。
(6)在(5)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,各個所述像素電極的所述凹部包括與所述布線層電連接的部分和不與所述布線層電連接的部分,所述公共層的所述凹部與各個所述像素電極的所述凹部的不與所述布線層電連接的所述部分接觸。
(7)在(1)~(3)中任一項記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,所述多個像素電極沿橫向及縱向排列,各個所述像素電極的所述凹部在從在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸的區(qū)域到在偏向所述縱向的一方的位置沿所述橫向延伸的區(qū)域的范圍連續(xù)地形成。
(8)在(4)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,所述多個像素電極沿橫向及縱向排列,各個所述像素電極的所述凹部在從第一區(qū)域到第二區(qū)域的范圍連續(xù)地形成,所述第一區(qū)域是在偏向所述橫向的一方的位置沿所述縱向延伸的區(qū)域,所述第二區(qū)域是在偏向所述縱向的一方的位置沿所述橫向延伸的區(qū)域。
(9)在(8)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,各個所述像素電極的所述凹部在從所述第一區(qū)域到所述第二區(qū)域的范圍連續(xù)地與所述布線層電連接。
(10)在(8)記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,各個所述像素電極的所述凹部僅在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域的連接區(qū)域,與所述布線層電連接。
(11)在(1)~(4)中任一項記載的有機電致發(fā)光顯示裝置中,可以是,所述多個像素電極沿橫向及縱向排列,包括在位于所述縱向兩側(cè)的所述端部分別形成有所述凹部的第一組所述像素電極、和在位于所述橫向兩側(cè)的所述端部分別形成有所述凹部的第二組所述像素電極,所述第一組所述像素電極和所述第二組所述像素電極在所述橫向及所述縱向交替排列。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





