[發明專利]納米晶體顆粒及其合成方法

有效

• 申請號: 201410495213.6
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104512860B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 金鉉基;田信愛;金龍郁;金泰坤;元裕鎬;張銀珠;章效淑;金澤勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: B82B1/00
• 分類號: B82B1/00;B82B3/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 金擬粲

1.納米晶體顆粒，其包括至少一種半導體材料和至少一種鹵族元素，

其中所述納米晶體顆粒具有芯-殼結構，所述芯-殼結構包含：包括第一半導體納米晶體的芯、和圍繞所述芯并包括結晶或無定形材料的殼，和

其中所述至少一種鹵族元素作為摻雜于其中的狀態或作為金屬鹵化物存在，

其中所述至少一種鹵族元素包括氟，

其中所述氟包括在所述芯和所述殼之間的界面處、所述殼中、或者在所述芯和所述殼之間的界面處和所述殼中，

其中所述芯的第一半導體納米晶體包括InP，

其中所述殼的結晶或無定形材料包括ZnS、ZnSe、ZnSeS、或其組合，

其中所述納米晶體顆粒包括在鋅與氟之間的鍵，

其中所述納米晶體顆粒不包括鎘，和

其中所述納米晶體顆粒具有大于或等于約50％的量子產率。

2.權利要求1的納米晶體顆粒，其中所述第一半導體納米晶體進一步包括鋅。

3.權利要求1的納米晶體顆粒，其中所述氟包括在所述芯和所述殼之間的界面處和所述殼中。

4.權利要求3的納米晶體顆粒，其中所述殼為具有至少兩個層的多層殼，所述層各自包括相同或不同的結晶或無定形材料并且具有彼此不同的組成，且所述鹵族元素包括在選自如下的至少一種區域中：所述殼的內層、所述殼的外層、在所述芯和所述殼之間的界面、以及在所述殼的層之間的界面。

5.權利要求1的納米晶體顆粒，其中基于所述納米晶體顆粒的芯中包括的金屬的摩爾量，以大于或等于0.05％的量包括所述至少一種鹵族元素。

6.權利要求1的納米晶體顆粒，其中所述殼包括具有與所述第一半導體納米晶體不同的組成和比所述第一半導體納米晶體大的帶隙的材料。

7.權利要求1的納米晶體顆粒，其中所述納米晶體顆粒具有配位到其表面的配體化合物。

8.權利要求7的納米晶體顆粒，其中所述配體化合物包括RCOOH、RNH₂、R₂NH、R₃N、RSH、R₃PO、R₃P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)₂、R₂POOH、或其組合，且其中R和R'各自獨立地為C1-C24烷基、C2-C24烯基、或C6-C20芳基。

9.合成權利要求1-8任一項的納米晶體顆粒的方法，其包括：

獲得包括第一前體、配體化合物和溶劑的第一混合物；

任選地加熱所述第一混合物；

向任選地加熱的所述第一混合物添加鹵族元素源、第二前體、和第一納米晶體以獲得第二混合物；和

將所述第二混合物加熱至反應溫度以引發所述第一前體與所述第二前體之間的反應以獲得包括至少一種半導體材料和鹵族元素的納米晶體顆粒，

其中所述鹵族元素源包括氟。

10.權利要求9的合成納米晶體顆粒的方法，其中所述第一前體包括II族金屬、III族金屬、IV族金屬、或其組合，且為如下的形式：金屬粉末、烷基化金屬化合物、金屬醇鹽、金屬羧酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬高氯酸鹽、金屬硫酸鹽、金屬乙酰丙酮化物、金屬鹵化物、金屬氰化物、金屬氫氧化物、金屬氧化物、金屬過氧化物、或其組合，且所述第二前體包括V族元素、VI族元素、含V族元素或VI族元素的化合物、含鹵族元素的化合物、或其組合。