[發(fā)明專利]一種圖像傳感器裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410495034.2 | 申請日: | 2014-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN105514129B | 公開(公告)日: | 2018-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張海芳;黃河;劉煊杰;馮霞;吳秉寰 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯集成電路(寧波)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 金曉 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖像傳感器 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器裝置,其特征在于,包括:
玻璃襯底;
形成在所述玻璃襯底上的金屬支柱;以及
與所述金屬支柱連接的子組件,其中所述金屬支柱與所述子組件的金屬連接襯墊連接;
其中,當(dāng)將所述玻璃襯底與所述子組件連接時,所述金屬連接襯墊與所述金屬支柱對應(yīng)連接,所述金屬支柱與所述連接襯墊以擠壓接合的方式連接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器裝置,其特征在于,所述金屬連接襯墊位于所述子組件的襯底的兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器裝置,其特征在于,所述金屬連接襯墊位于所述子組件的襯底的光學(xué)敏感區(qū)之外。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的圖像傳感器裝置,其特征在于,所述金屬支柱和所述金屬連接襯墊均由銅構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的圖像傳感器裝置,其特征在于,所述金屬支柱和所述金屬連接襯墊分別由鋁和鍺構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的圖像傳感器裝置,其特征在于,所述子組件包括:
襯底;
位于所述襯底上的至少一個光學(xué)組件;
在所述襯底上位于所述光學(xué)組件的兩側(cè)的金屬連接襯墊。
7.一種圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,包括:
在玻璃襯底上形成金屬支柱;
提供具有金屬連接襯墊的圖像傳感器裝置子組件;以及
將所述金屬支柱與所述子組件的金屬連接襯墊連接在一起,從而構(gòu)成所述圖像傳感器裝置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,所述金屬連接襯墊形成在所述子組件的襯底的兩側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,所述金屬連接襯墊形成在所述子組件的襯底的光學(xué)敏感區(qū)之外。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,在玻璃襯底上形成金屬支柱的過程包括:
在所述玻璃襯底上形成種子層;
在所述種子層的一部分上形成圖案化的阻擋物,暴露所述種子層的兩側(cè);
電鍍所述種子層以在所述種子層的兩側(cè)形成金屬支柱;
去除所述阻擋物以及所述種子層的至少一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,在玻璃襯底上形成金屬支柱的過程包括:
在所述玻璃襯底上沉積金屬作為種子層;
利用所述種子層進(jìn)行電鍍以生長金屬層;
刻蝕所述金屬層從而在所述玻璃襯底的兩側(cè)上形成具有預(yù)定圖案的金屬支柱。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,所述金屬支柱和所述金屬連接襯墊均由銅構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,所述金屬支柱和所述金屬連接襯墊分別由鋁和鍺構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求7-13中任意一項所述的圖像傳感器裝置的制造方法,其特征在于,將所述金屬支柱與所述子組件的金屬連接襯墊連接的過程包括:
在如下條件下,將形成在所述玻璃襯底上的所述金屬支柱與所述子組件的金屬連接襯墊擠壓在一起以形成金屬接合,其中所述條件包括:
溫度為200至500℃;
壓力為10至100千牛;以及
時間為0.5~3小時。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





