[發(fā)明專利]柔性基材電路板及金屬釘扎層的制備方法和設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410494856.9
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN104372295B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖斌;吳先映;張旭;張薈星;陳琳
• 申請（專利權(quán)）人: 北京師范大學(xué)
• 主分類號: C23C14/20
• 分類號: C23C14/20;C23C14/48;C23C14/46
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1.一種金屬釘扎層的制備方法，其特征在于，包括：

利用金屬蒸汽真空弧(MEVVA)離子源，向基底層注入第一金屬元素，對所述基底層進(jìn)行清洗，并形成金屬摻雜層；其中，所述第一金屬元素的注入電壓為4～8kV，束流強(qiáng)度為1～4mA；

利用磁過濾陰極真空弧(FCVA)離子源，在所述金屬摻雜層上通過磁過濾沉積得到3nm～10nm的第一金屬膜層；

利用所述MEVVA離子源，向所述第一金屬膜層表面注入第二金屬元素，形成金屬釘扎層；

利用所述FCVA離子源，在所述金屬釘扎層上，磁過濾沉積出10～30nm的金屬覆蓋層；其中所述磁過濾沉積時(shí)，弧流為90～150A，彎管磁場電流為1.0～4.0A。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬釘扎層的制備方法，其特征在于：

所述基底層為聚酰亞胺聚合物；和/或，

所述第一金屬膜層為Ni膜層或者Cu膜層；所述第一金屬膜層的厚度大于或等于3nm，且小于10nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬釘扎層的制備方法，其特征在于：

所述第一金屬元素為Ni或者Cu，其注入電壓為4～8kV，束流強(qiáng)度為1～4mA，注入劑量為1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²，注入深度為70～120nm；

和/或，

所述第二金屬元素為Ni或Cu，其注入電壓為10～15kV，注入金屬束流強(qiáng)度為1～4mA，注入劑量為1×10¹⁵～5×10¹⁵/cm²。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的金屬釘扎層的制備方法，其特征在于，所述金屬覆蓋層的金屬元素為Ni或Cu，且厚度為10～30nm。

5.一種金屬釘扎層的制備設(shè)備，其特征在于，包括：

注入裝置，配置為利用金屬蒸汽真空弧(MEVVA)離子源，向基底層注入第一金屬元素，對所述基底層進(jìn)行清洗，并形成金屬摻雜層；

沉積裝置，配置為利用FCVA，在所述金屬摻雜層上通過磁過濾沉積得到第一金屬膜層；其中，所述第一金屬膜層的厚度大于或等于3nm且小于10nm；

所述注入裝置還配置用于：利用所述MEVVA離子源向所述第一金屬膜層表面注入第二金屬元素，形成金屬釘扎層；

FCVA離子源沉積系統(tǒng)配置為用于：在所述金屬釘扎層上沉積出10～30nm的金屬覆蓋層，該FCVA離子源沉積系統(tǒng)包括FCVA陰極(200)、觸發(fā)電極(210)、陽極(220)、導(dǎo)管(230)以及磁場(240)。

6.一種柔性基材電路板的制備方法，其特征在于，包括：

清洗柔性基材；

在所述柔性基材表面，根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的金屬釘扎層的制備方法制備金屬釘扎層；

在所述金屬釘扎層上進(jìn)行金屬沉積，形成金屬覆蓋層；

在所述金屬覆蓋層上刻蝕所需的電路。

7.一種柔性基材電路板的制備設(shè)備，其特征在于，包括：

根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬釘扎層的制備設(shè)備；

刻蝕裝置，配置為在所述金屬覆蓋層上刻蝕所需的電路。

8.一種采用如權(quán)利要求6所述的柔性基材電路板的制備方法制造的柔性基材電路板；其中，所述柔性基材電路板包括：基底層、金屬膜層、金屬釘扎層、沉積于所述金屬釘扎層之上的金屬覆蓋層、以及在所述金屬覆蓋層上的電路層。

9.一種終端設(shè)備，其特征在于，該終端設(shè)備設(shè)置有權(quán)利要求8所述的柔性基材電路板。