[發明專利]LED襯底結構及其制作方法

在審

• 申請號: 201410494545.2
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN104269485A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 馬新剛;丁海生;李芳芳;李東昇;江忠永
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種LED襯底結構的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成二氧化硅層；

刻蝕所述二氧化硅層，在所述襯底上形成呈周期性排布的多個二氧化硅圖形；

在每相鄰兩個二氧化硅圖形之間形成由透射材料形成的增透減反結構，以增加光的透射減少光的反射，所述增透減反結構的縱截面的上邊長度大于等于下邊長度；

去除所述多個二氧化硅圖形。

2.如權利要求1所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，在每相鄰兩個二氧化硅圖形之間形成由透射材料形成的增透減反結構包括：

形成由透射材料形成的透射材料層，所述透射材料層覆蓋多個二氧化硅圖形及每相鄰兩個二氧化硅圖形之間的襯底；

在所述透射材料層表面形成一層光刻膠；

刻蝕所述光刻膠，直至部分透射材料層露出；

同比刻蝕所述光刻膠及透射材料層，直至光刻膠完全消除；

刻蝕部分透射材料層，直至所述多個二氧化硅圖形的表面露出。

3.如權利要求1所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，在每相鄰兩個二氧化硅圖形之間形成由透射材料形成的增透減反結構包括：

形成由透射材料形成的透射材料層，所述透射材料層覆蓋多個二氧化硅圖形及每相鄰兩個二氧化硅圖形之間的襯底；

對所述透射材料層采用拋光工藝，直至所述多個二氧化硅圖形的表面露出。

4.如權利要求1所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成二氧化硅層中，所述二氧化硅層的厚度為0.5微米～3微米。

5.如權利要求1所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成二氧化硅層中，所述二氧化硅層的沉積速度越來越慢，工藝溫度越來越高。

6.如權利要求5所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，在所述襯底上形成二氧化硅層中，所述二氧化硅層的沉積速度為從100埃/秒到10埃/秒遞減，工藝溫度為從200℃到800℃遞增。

7.如權利要求1所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，刻蝕所述二氧化硅層，在所述襯底上形成呈周期性排布的多個二氧化硅圖形包括：

在所述二氧化硅層上形成光刻膠；

去除部分光刻膠，露出部分二氧化硅層；

刻蝕露出的部分二氧化硅層，形成呈周期性排布的多個二氧化硅圖形；

去除剩余的光刻膠。

8.如權利要求7所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝或者濕法腐蝕工藝刻蝕露出的部分二氧化硅層，形成呈周期性排布的多個二氧化硅圖形。

9.如權利要求7所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，當通過干法刻蝕工藝刻蝕露出的部分二氧化硅層，形成呈周期性排布的多個二氧化硅圖形時，選用感應耦合等離子體干法刻蝕工藝。

10.如權利要求7所述的LED襯底結構的制作方法，其特征在于，當通過濕法腐蝕工藝刻蝕露出的部分二氧化硅層，形成呈周期性排布的多個二氧化硅圖形時，選用的腐蝕液為氫氟酸或者BOE溶液。

11.一種LED襯底結構，其特征在于，包括：襯底，所述襯底上形成有由透射材料形成的增透減反結構，以增加光的透射減少光的反射，所述增透減反結構的縱截面的上邊長度大于等于下邊長度。

12.如權利要求11所述的LED襯底結構，其特征在于，所述增透減反結構的材料為氮化硅和氮氧化硅中的一種或多種。

13.如權利要求11所述的LED襯底結構，其特征在于，所述增透減反結構在所述襯底上呈周期性排布。

14.如權利要求11～13中任一項所述的所述的LED襯底結構，其特征在于，所述增透減反結構的縱截面為倒梯形。

15.如權利要求11～13中任一項所述的LED襯底結構，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底。