[發(fā)明專利]使用SADP技術(shù)制造電路布局的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410494410.6 | 申請日： | 2014-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN104462635B | 公開（公告）日： | 2017-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 袁磊;桂宗郁;H·J·萊文森 | 申請（專利權(quán)）人： | 格羅方德半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人： | 程偉,王錦陽 |
| 地址： | 英屬開曼群*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 sadp 技術(shù) 制造 電路 布局 方法 | ||
1.一種方法，包含:
創(chuàng)造用于集成電路的整體圖像布局，該整體圖像布局使用自對準(zhǔn)雙圖像化程序(SADP)生產(chǎn)；
辨識在該整體圖像化布局中的多個特征，使用該SADP程序無法分解該多個特征，其中，至少第一和第二相鄰特征被要求為同色特征；
減少在該第一和第二特征間的間隔，以使該第一特征和該第二特征變?yōu)楫惿卣鳎瑥亩褂迷揝ADP程序可分解該多個特征；
將具有該異色的第一和第二特征的該整體圖像布局分解成芯柱屏蔽圖像和塊屏蔽圖像，其中，該異色的第一和第二特征在其間具有該減少的間隔；
產(chǎn)生第一集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)于該芯柱屏蔽圖像；以及
產(chǎn)生第二集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)于該塊屏蔽圖像。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括提供該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)至屏蔽制造商。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括將該第一特征的第一邊視為固定、以及朝該第二特征移動該第一特征的第二邊，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，當(dāng)減少在該第一和第二相鄰特征間的該間隔時，該第二特征的所有邊被視為固定的。
5.如權(quán)利要求3所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括將每個該第一和第二特征的第一邊視為固定、以及朝彼此移動每個該第一和第二特征的第二邊，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括僅增加該第一和第二特征的一者的尺寸，但保持該第一和第二特征的另一者的尺寸不變，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括增加該第一和第二特征兩者的尺寸，以減少該第一和第二特征間的該間隔。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該同色的第一和第二特征兩者皆為芯柱-金屬(mandrel-metal,MM)特征。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該同色的第一和第二特征兩者皆為非芯柱-金屬(non-mandrel-metal,NMM)特征。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該異色的第一和第二特征的一者為芯柱-金屬(mandrel-metal,MM)特征，而該異色的第一和第二特征的另一者為非芯柱-金屬(non-mandrel-metal,NMM)特征。
11.如權(quán)利要求2所述的方法，還包括使用自該屏蔽制造商得到的屏蔽生產(chǎn)集成電路產(chǎn)品，其中，該屏蔽為基于該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)。
12.一種方法，包括:
創(chuàng)造用于集成電路的整體圖像布局，該整體圖像布局使用自對準(zhǔn)雙圖像化程序(SADP)生產(chǎn)；
辨識在該整體圖像化布局中的多個特征，使用該SADP程序無法分解該多個特征，其中，在該多個特征中至少第一和第二相鄰特征被要求為同色特征；
減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔，以使該第一特征和該第二特征變?yōu)楫惿卣鳎瑥亩褂迷揝ADP程序可分解該多個特征，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括增加該第一和第二特征的一者的尺寸，但保持該第一和第二特征的另一者的尺寸不變；
將具有該異色的第一和第二特征的該整體圖像布局分解成芯柱屏蔽圖像和塊屏蔽圖像，其中，該異色的第一和第二特征在其間具有該減少的間隔；
生成第一集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)該芯柱屏蔽圖像；以及
生成第二集合屏蔽數(shù)據(jù)，其對應(yīng)該塊屏蔽圖像。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括提供該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)給屏蔽制造商。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，還包括使用自該屏蔽制造商獲得的屏蔽生產(chǎn)集成電路，其中，該屏蔽為基于該第一和第二集合屏蔽數(shù)據(jù)。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，減少在該第一和第二相鄰特征間的間隔包括將該第一特征的第一邊視為固定、以及朝該第二特征移動該第一特征的第二邊，以減少該第一和第二特征間的間隔，但該第二特征的所有邊被視為固定的。
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