[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置有效
| 申請號: | 201410493910.8 | 申請日: | 2014-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN104517807B | 公開(公告)日: | 2017-10-03 |
| 發明(設計)人: | 吉住明日香;樋口鲇美 | 申請(專利權)人: | 斯克林集團公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 宋曉寶,向勇 |
| 地址: | 日本國京*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 方法 以及 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,
包括:
藥液工序,向旋轉的基板的表面供給藥液,對所述基板的表面進行藥液處理,
沖洗工序,緊接著所述藥液工序進行,通過向旋轉的所述基板的表面的旋轉中心供給沖洗液,利用所述沖洗液沖洗掉在所述基板的表面上附著的藥液,并形成沖洗液的液膜;其特征在于,
所述沖洗工序包括:
高速沖洗工序,一邊使所述基板以規定的第一旋轉速度旋轉一邊向所述基板的表面的旋轉中心供給沖洗液,利用沖洗液的液膜覆蓋基板的整個表面以沖洗掉在所述表面上附著的藥液,
急減速工序,在所述高速沖洗工序之后執行,為了維持利用沖洗液的液膜覆蓋所述基板的整個表面的狀態,一邊向所述基板的表面的旋轉中心供給沖洗液,一邊使所述基板的旋轉速度以規定的減速梯度從所述第一旋轉速度減小到比所述第一旋轉速度低的第二旋轉速度,
積液工序,在所述急減速工序之后執行,為了維持利用沖洗液的液膜覆蓋所述基板的整個表面的狀態,一邊向所述基板的表面的旋轉中心供給沖洗液,一邊使所述基板的旋轉速度以比所述急減速工序時的減速梯度平緩的減速梯度從所述第二旋轉速度減少到20rpm以下的規定的第三旋轉速度或零,以在所述基板的表面上形成浸液狀的沖洗液的液膜;
所述積液工序包括以比所述高速沖洗工序時的最大供給流量大的流量向所述基板的表面供給沖洗液的工序。
2.如權利要求1所述的基板處理方法,其特征在于,所述積液工序中的沖洗液的供給流量被設定為4.0(升/分鐘)以上。
3.如權利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,在所述積液工序中,以11.0(rpm/秒)以下的減速梯度使所述基板的旋轉速度減小。
4.如權利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,所述急減速工序的執行時間在1.0秒以下。
5.如權利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,在所述急減速工序中,使所述基板的旋轉速度減小到200rpm以下。
6.如權利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,所述急減速工序中的沖洗液的供給流量被設定為4.0(升/分鐘)以上。
7.如權利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,所述急減速工序中的沖洗液的供給流量被設定為與所述高速沖洗工序時的沖洗液的供給流量相同的流量。
8.如權利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,所述急減速工序中的沖洗液的供給流量被設定為與所述積液工序時的沖洗液的供給流量相同的流量。
9.如權利要求1或2所述的基板處理方法,其特征在于,還包括低表面張力液置換工序,在該低表面張力液置換工序中,利用低表面張力液置換通過所述積液工序形成的浸液狀的沖洗液的液膜。
10.一種基板處理裝置,
具有:
基板保持單元,保持基板,
基板旋轉單元,使被所述基板保持單元保持的所述基板旋轉,
藥液供給單元,用于向由所述基板旋轉單元旋轉的基板的表面供給藥液,
沖洗液供給單元,用于向由所述基板旋轉單元旋轉的基板的表面供給沖洗液,
控制單元,對所述基板旋轉單元、所述藥液供給單元以及所述沖洗液供給單元進行控制,來執行藥液工序和沖洗工序,其中,在所述藥液工序中,一邊使所述基板以規定的旋轉速度旋轉,一邊向所述基板的表面供給藥液,來對所述基板的表面進行藥液處理,所述沖洗工序緊接著所述藥液工序來進行,在所述沖洗工序中,通過向旋轉的基板的表面供給沖洗液,來利用所述沖洗液沖洗掉在所述基板的表面上附著的藥液,并形成該沖洗液的液膜;其特征在于,
所述控制單元執行:
高速沖洗工序,一邊使所述基板以規定的第一旋轉速度旋轉一邊向所述基板的表面的旋轉中心供給沖洗液,利用沖洗液的液膜覆蓋基板的整個表面以沖洗掉在所述表面上附著的藥液,
急減速工序,在所述高速沖洗工序之后執行,為了維持利用沖洗液的液膜覆蓋所述基板的整個表面的狀態,一邊向所述基板的表面的旋轉中心供給沖洗液,一邊使所述基板的旋轉速度以規定的減速梯度從所述第一旋轉速度減小到比所述第一旋轉速度低的第二旋轉速度,
積液工序,在所述急減速工序之后執行,為了維持利用沖洗液的液膜覆蓋所述基板的整個表面的狀態,一邊向所述基板的表面的旋轉中心供給沖洗液,一邊使所述基板的旋轉速度以比所述急減速工序時的減速梯度平緩的減速梯度從所述第二旋轉速度減少到20rpm以下的規定的第三旋轉速度或零,以在所述基板的表面上形成浸液狀的沖洗液的液膜;
所述積液工序包括以比所述高速沖洗工序時的最大供給流量大的流量向所述基板的表面供給沖洗液的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





