[發明專利]一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法

有效

• 申請號: 201410492738.4
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN104213197B
• 公開（公告）日: 2017-06-16
• 發明（設計）人: 張穎武;程紅娟;練小正;張志鵬;李璐杰;司華青;徐永寬
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: C30B31/02
• 分類號: C30B31/02;C30B29/50
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司12105
• 代理人: 胡京生

1.一種用于PVT法制備半導體單晶材料的原位摻雜方法，采用兩溫區PVT晶體生長爐，步驟如下：

1）、將原料、摻雜物進行工藝處理后混合一起放入兩溫區PVT晶體生長爐原料區（1）、襯底放入爐內襯底（5）位置；

2）、調置PVT晶體生長爐一溫區、二溫區溫度，其溫度范圍根據原材料物理性能特點決定，即在PVT法晶體生長過程中，同時加入特殊物質的氣氛，特殊物質為需要摻雜的物質的單質元素或化合物，使摻雜元素伴隨晶體生長的過程進入到晶體內部格點位置，保證了摻雜均勻性和晶體結構完整性，從而實現理想摻雜效果；

3）、待生長工藝結束后取出生長管（4），即可得到摻雜元素的單晶；

PVT法制備摻氯元素的N型低阻硫化鎘單晶，硫化鎘單晶生長采用兩溫區PVT晶體生長爐，從原料端到襯底端的溫區分別為一溫區、二溫區，以石英單晶材料為襯底，以氯化鎘為摻雜源，氯化鎘以粉末態與硫化鎘源粉混合放置于原料區（1），晶體生長中的溫區設置為1010℃、980℃，待生長工藝結束后取出生長管，即可得到摻氯元素的N型低阻硫化鎘單晶；

PVT法制備摻鋁元素的N型低阻硒化鎘單晶，硒化鎘單晶生長采用兩溫區PVT晶體生長爐，從原料端到襯底端的溫區分別為一溫區、二溫區，以石英單晶材料為襯底，以鋁單質為摻雜源，鋁單質以粉末態與硒化鎘源粉混合放置于原料區（1），晶體生長中的溫區設置為950℃、900℃，待生長工藝結束后取出生長管，即可得到摻鋁元素的N型低阻硒化鎘單晶。