[發明專利]淺溝槽隔離的制造方法有效
| 申請號： | 201410491604.0 | 申請日： | 2014-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN104269376B | 公開（公告）日： | 2017-03-15 |
| 發明（設計）人： | 李潤領 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 制造 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于，其包括以下步驟：
步驟S01，在硅片的硅襯底中形成淺溝槽；
步驟S02，向該淺溝槽內填充氧化物；
步驟S03，對該淺溝槽進行硅離子注入，以使得該淺溝槽內的填充氧化物區域含有硅原子；
步驟S04，對該硅片進行熱退火。
2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S03還包括對該淺溝槽進行硅離子注入，以使得該淺溝槽內的填充氧化物結構被打散。
3.根據權利要求2所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S03為多次硅離子注入，以使得該淺溝槽內的填充氧化物區域充滿硅原子。
4.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S03中硅離子注入的注入深度為該淺溝槽深度的5-100％。
5.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S03中硅離子注入的硅濃度為1E10cnt/cm2-1E16cnt/cm2。
6.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S03中硅離子注入為常溫離子注入、低溫離子注入或高溫離子注入。
7.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S04中熱退火為Spike退火、RTA退火、激光退火或高溫爐管退火，熱退火溫度為600-1250℃。
8.根據權利要求7所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S04中熱退火包括第一步快速退火和第二步常規退火，該第一步快速退火中填充氧化物內的硅原子快速鎖定退火所產生的氧原子并與之結合，該第二步常規退火中致密填充氧化物，以消除淺溝槽中縫隙缺陷。
9.根據權利要求8所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：該第一步快速退火為RTA退火，退火時間為10-60秒；該第二步常規退火為高溫爐管退火，退火時間為5-30分鐘。
10.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離的制造方法，其特征在于：步驟S02中填充氧化物為HARP工藝、eHARP工藝、ALD工藝或FCVD工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
