[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410489794.2
• 申請(qǐng)日: 2014-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN104465770A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岡崎拓行;加茂宣卓;野上洋一;小山英壽;宮國(guó)晉一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張?zhí)焓?/td>

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：

Si襯底，其具有彼此相對(duì)的第1以及第2主表面；

緩沖層，其形成在所述Si襯底的所述第1主表面上，由Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)構(gòu)成；

外延結(jié)晶生長(zhǎng)層，其形成在所述緩沖層上，由Al_yGa_1-yN(0≤y≤1，x≠y)構(gòu)成；

晶體管，其形成在所述外延結(jié)晶生長(zhǎng)層上；以及

填充材料，其填充在從所述Si襯底的所述第2主表面到達(dá)所述緩沖層的通孔中，由與所述緩沖層相同的組成比x的Al_xGa_1-xN構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述通孔以及所述填充材料不設(shè)置在所述晶體管的源極電極的下方，而是設(shè)置在所述晶體管的漏極電極的下方。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

還具有金屬膜，該金屬膜設(shè)置在從所述Si襯底的第2主表面到達(dá)所述晶體管的源極焊盤為止的源極過孔的內(nèi)壁和所述Si襯底的所述第2主表面上，與所述源極焊盤連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述Si襯底是n型，經(jīng)由在所述晶體管的源極焊盤的正下方的所述緩沖層以及所述外延結(jié)晶生長(zhǎng)層上設(shè)置的開口，所述源極焊盤直接與所述Si襯底接觸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述Si襯底是n型，經(jīng)由在所述晶體管的源極電極的正下方的所述緩沖層以及所述外延結(jié)晶生長(zhǎng)層上設(shè)置的開口，所述源極電極直接與所述Si襯底接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述Si襯底的電阻率小于或等于10⁴Ωcm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述緩沖層是AlN。

8.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在具有彼此相對(duì)的第1以及第2主表面的Si襯底的第1主表面上，形成由Al_xGa_1-xN(0≤x≤1)構(gòu)成的緩沖層；

在所述緩沖層上，形成由Al_yGa_1-yN(0≤y≤1，x≠y)構(gòu)成的外延結(jié)晶生長(zhǎng)層；

在所述外延結(jié)晶生長(zhǎng)層上形成晶體管；

將所述緩沖層作為阻擋層使用，從所述第2主表面開始對(duì)所述Si襯底進(jìn)行蝕刻而形成通孔；以及

向所述通孔中填充填充材料，該填充材料由與所述緩沖層相同的組成比x的Al_xGa_1-xN構(gòu)成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

填充所述填充材料的工序具有下述工序：

在所述Si襯底的所述第2主表面上以及所述通孔內(nèi)形成所述填充材料；以及

對(duì)形成在所述Si襯底的所述第2主表面上的所述填充材料進(jìn)行切削而使其平坦化。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

利用濺射或者CVD進(jìn)行所述填充材料的填充。