[發(fā)明專利]一種抗軟失效存儲(chǔ)單元以及鎖存器和觸發(fā)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410488333.3
• 申請(qǐng)日: 2014-09-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104299639B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳梅梅;王妍;劉靜;王元中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)傳媒大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C11/34
• 分類號(hào): G11C11/34
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002
• 代理人: 薛晨光

1.一種抗軟失效存儲(chǔ)單元，包括抗軟失效電路，其特征在于，所述抗軟失效電路的NMOS管均串聯(lián)一個(gè)NMOS管；

分別與所述抗軟失效電路的第五MOS管和第六MOS管串聯(lián)的第九MOS管、第十MOS管的柵極分別與所述抗軟失效電路的第三MOS管、第四MOS管的柵極連接；

還包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的輸入端連接所述第六MOS管的漏極，其輸出端連接與所述抗軟失效電路的第七M(jìn)OS管串聯(lián)的NMOS管的柵極；所述第二反相器的輸入端連接所述第五MOS管的漏極，其輸出端連接與所述抗軟失效電路的第八MOS管串聯(lián)的NMOS管的柵極；

所述抗軟失效電路包括四個(gè)上拉PMOS管，稱為第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；所述第一MOS管、第二MOS管通過(guò)交叉耦合連接形成交叉耦合上拉PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管的柵極分別與所述第一MOS管、第二MOS管的漏極連接；

所述抗軟失效電路還包括四個(gè)下拉NMOS管，稱為第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管；所述四個(gè)下拉NMOS管串聯(lián)的NMOS管的源極均接地；

所述第五MOS管、第六MOS管通過(guò)交叉耦合連接形成交叉耦合下拉NMOS管，所述第七M(jìn)OS、第八MOS的柵極分別與所述第六MOS管、第五MOS管的柵極連接；所述第七M(jìn)OS管、第八MOS管的漏極分別與所述第一MOS管、第二MOS管的漏極連接；所述第三MOS、第四MOS的漏極分別與所述第五MOS、第六MOS的漏極連接。

2.一種觸發(fā)器，其特征在于，包括抗軟失效存儲(chǔ)單元，所述抗軟失效存儲(chǔ)單元包括抗軟失效電路；所述抗軟失效電路的NMOS管均串聯(lián)一個(gè)NMOS管；

分別與所述抗軟失效電路的第五MOS管和第六MOS管串聯(lián)的第九MOS管、第十MOS管的柵極分別與所述抗軟失效電路的第三MOS管、第四MOS管的柵極連接；

還包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的輸入端連接所述第六MOS管的漏極，其輸出端連接與所述抗軟失效電路的第七M(jìn)OS管串聯(lián)的NMOS管的柵極；所述第二反相器的輸入端連接所述第五MOS管的漏極，其輸出端連接與所述抗軟失效電路的第八MOS管串聯(lián)的NMOS管的柵極；

所述抗軟失效電路包括四個(gè)上拉PMOS管，稱為第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；

所述第一MOS管、第二MOS管通過(guò)交叉耦合連接形成交叉耦合上拉PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管的柵極分別與所述第一MOS管、第二MOS管的漏極連接；

所述抗軟失效電路還包括四個(gè)下拉NMOS管，稱為第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管；所述四個(gè)下拉NMOS管串聯(lián)的NMOS管的源極均接地；

所述第五MOS管、第六MOS管通過(guò)交叉耦合連接形成交叉耦合下拉NMOS管，所述第七M(jìn)OS、第八MOS的柵極分別與所述第六MOS管、第五MOS管的柵極連接；所述第七M(jìn)OS管、第八MOS管的漏極分別與所述第一MOS管、第二MOS管的漏極連接；所述第三MOS、第四MOS的漏極分別與所述第五MOS、第六MOS的漏極連接。

3.一種鎖存器，其特征在于，包括抗軟失效存儲(chǔ)單元，所述抗軟失效存儲(chǔ)單元包括抗軟失效電路；所述抗軟失效電路的NMOS管均串聯(lián)一個(gè)NMOS管；

分別與所述抗軟失效電路的第五MOS管和第六MOS管串聯(lián)的第九MOS管、第十MOS管的柵極分別與所述抗軟失效電路的第三MOS管、第四MOS管的柵極連接；

還包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的輸入端連接所述第六MOS管的漏極，其輸出端連接與所述抗軟失效電路的第七M(jìn)OS管串聯(lián)的NMOS管的柵極；所述第二反相器的輸入端連接所述第五MOS管的漏極，其輸出端連接與所述抗軟失效電路的第八MOS管串聯(lián)的NMOS管的柵極；所述抗軟失效電路包括四個(gè)上拉PMOS管，稱為第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；所述第一MOS管、第二MOS管通過(guò)交叉耦合連接形成交叉耦合上拉PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管的柵極分別與所述第一MOS管、第二MOS管的漏極連接；

所述抗軟失效電路還包括四個(gè)下拉NMOS管，稱為第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管；所述四個(gè)下拉NMOS管串聯(lián)的NMOS管的源極均接地；

所述第五MOS管、第六MOS管通過(guò)交叉耦合連接形成交叉耦合下拉NMOS管，所述第七M(jìn)OS、第八MOS的柵極分別與所述第六MOS管、第五MOS管的柵極連接；所述第七M(jìn)OS管、第八MOS管的漏極分別與所述第一MOS管、第二MOS管的漏極連接；所述第三MOS、第四MOS的漏極分別與所述第五MOS、第六MOS的漏極連接。