[發(fā)明專利]導電元件結構和方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410488038.8
• 申請日: 2014-09-22
• 公開（公告）號: CN105321814B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設計）人: 楊岱宜;劉相瑋;吳佳典;李香寰;林天祿
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3105
• 分類號: H01L21/3105
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

在絕緣層和蝕刻停止層上方設置的金屬層中形成凹槽，其中，所述蝕刻停止層設置在所述絕緣層上方；

在所述凹槽的側壁上選擇性地形成金屬襯里；以及

將所述金屬層和所述金屬襯里用作掩模，在所述絕緣層中蝕刻通孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述凹槽的側壁上選擇性地形成所述金屬襯里包括在所述凹槽的側壁上選擇性地鍍金屬。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在所述凹槽的側壁上選擇性地形成所述金屬襯里包括在所述凹槽的側壁上選擇性地沉積金屬并且氧化所述金屬。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，氧化所述金屬包括陽極金屬氧化工藝。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：

通過去除所述凹槽的側壁上的所述金屬襯里和所述金屬層的鄰近所述金屬襯里的部分來擴寬所述凹槽以形成擴寬的凹槽；

在所述擴寬的凹槽的側壁上方選擇性地形成金屬間隔件；以及

將所述金屬間隔件和所述金屬層用作掩模，蝕刻鄰近所述通孔的上部的所述絕緣層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，在所述擴寬的凹槽的側壁上選擇性地形成所述金屬間隔件包括在所述擴寬的凹槽的側壁上選擇性地沉積金屬并且氧化所述金屬。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，氧化所述金屬包括陽極金屬氧化工藝。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述通孔內形成導電元件。

9.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供在絕緣層和蝕刻停止層上方設置的金屬層，所述金屬層包括導電材料并且具有在所述金屬層中形成的第一凹槽，所述蝕刻停止層設置在所述絕緣層上方；

通過在所述導電材料上但不在所述第一凹槽的底部上形成金屬襯里使所述第一凹槽變窄以形成變窄的第一凹槽；以及

將所述變窄的第一凹槽延伸至所述絕緣層內。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述金屬襯里包括在所述第一凹槽的側壁上方但不在所述第一凹槽的底部上選擇性地鍍金屬。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述金屬襯里包括在所述第一凹槽的側壁上方但不在所述第一凹槽的底部上選擇性地沉積金屬，并且氧化所述金屬。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，所述金屬襯里包括鋁、鈷、鈦、釕和銅中的至少一種。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，所述金屬層包括鋁、鈷、鈦和銅中的至少一種。

14.根據權利要求9所述的方法，其中，所述金屬襯里的厚度在50埃至150埃的范圍內。

15.根據權利要求9所述的方法，還包括：

擴寬所述變窄的第一凹槽以形成擴寬的第一凹槽并且同時在所述金屬層中蝕刻與所述擴寬的第一凹槽橫向分隔的第二凹槽；

在所述擴寬的第一凹槽的側壁上方選擇性地形成第一金屬間隔件并且同時在所述第二凹槽的側壁上方形成第二金屬間隔件；以及

將所述第一金屬間隔件、所述第二金屬間隔件和所述金屬層用作掩模，蝕刻所述絕緣層的部分。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述第一金屬間隔件的厚度和所述第二金屬間隔件的厚度在100埃至300埃的范圍內。