[發明專利]OLED的封裝方法及OLED封裝結構

在審

• 申請號: 201410487732.8
• 申請日: 2014-09-22
• 公開（公告）號: CN104241542A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 曾維靜;劉亞偉
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種OLED的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供封裝蓋板(1)、及基板(5)，所述封裝蓋板(1)上設有用于涂覆框膠(2)的涂膠位置(8)；

步驟2、在封裝蓋板(1)上所述涂膠位置(8)的外側制作一密封圈(7或7’)；

步驟3、在封裝蓋板(1)上所述涂膠位置(8)上涂覆一圈框膠(2)；

步驟4、將封裝蓋板(1)與基板(5)相對貼合；

步驟5、使用UV光源對框膠(2)進行照射使其固化，從而實現封裝蓋板(1)對基板(5)的封裝。

2.如權利要求1所述的OLED的封裝方法，其特征在于，所述封裝蓋板(1)為玻璃板，所述基板(5)為設有OLED器件(6)的TFT基板。

3.如權利要求1所述的OLED的封裝方法，其特征在于，所述步驟2中，所述密封圈(7或7’)靠近涂膠位置(8)一側的外邊緣與涂膠位置(8)的中心線的距離為0.5mm～2.5mm。

4.如權利要求1所述的OLED的封裝方法，其特征在于，所述密封圈(7或7’)的寬度為20um～2000um，高度為3um～50um，且同一封裝蓋板(1)上所述密封圈(7或7’)不同位置的寬度、高度一致。

5.如權利要求1所述的OLED的封裝方法，其特征在于，所述密封圈(7)為一圈無機絕緣薄膜(3)；所述無機絕緣薄膜(3)的材料為SiO₂或SiNx，所述無機絕緣薄膜(3)是采用化學氣相沉積方法鍍膜，然后再刻蝕的方式制備得到的。

6.如權利要求1所述的OLED的封裝方法，其特征在于，所述密封圈(7’)為金屬層(4)上設置有無機絕緣薄膜(3)的結構；該結構的制作方法為：先在封裝蓋板(1)上涂膠位置(8)的外側形成一圈金屬層(4)，然后在該金屬層(4)上對應該金屬層(4)形成一圈無機絕緣薄膜(3)；所述金屬層(4)為鉬，所述無機絕緣薄膜(3)的材料為SiO₂或SiNx，所述無機絕緣薄膜(3)是采用化學氣相沉積方法鍍膜，然后再使用刻蝕的方式制備得到的。

7.如權利要求1所述的OLED的封裝方法，其特征在于，所述步驟3中，所述框膠(2)為UV膠，所述框膠(2)的高度大于密封圈(7或7’)的高度。

8.如權利要求1所述的OLED的封裝方法，其特征在于，所述步驟4中，將封裝蓋板(1)與基板(5)相對貼合后，框膠(2)的寬度為1mm～5mm。

9.一種OLED封裝結構，其特征在于，包括封裝蓋板(1)、密封連接于封裝蓋板(1)上的基板(5)、設于封裝蓋板(1)與基板(5)之間的框膠(2)及位于框膠(2)外側的密封圈(7或7’)。

10.如權利要求9所述的OLED封裝結構，其特征在于，所述密封圈(7)為一圈無機絕緣薄膜(3)，或者所述密封圈(7’)為金屬層(4)上設置有無機絕緣薄膜(3)的結構。