[發明專利]具有低工作電壓及高功率轉換效率的半導體激光器有效
| 申請號： | 201410487021.0 | 申請日： | 2014-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN104242057B | 公開（公告）日： | 2017-08-04 |
| 發明（設計）人： | 朱振;張新;李沛旭;蔣鍇;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/323 | 分類號： | H01S5/323;H01S5/20 |
| 代理公司： | 濟南日新專利代理事務所37224 | 代理人： | 王書剛 |
| 地址： | 250101 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 工作 電壓 功率 轉換 效率 半導體激光器 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有低工作電壓及高功率轉換效率的半導體激光器，其結構從下至上依次為襯底、緩沖層、下限制層、下波導層、量子阱、上波導層、上限制層、帶隙過渡層和歐姆接觸層，其特征是：上波導層與上限制層之間以及上限制層與帶隙過渡層之間均設置帶隙漸變過渡層，上限制層與歐姆接觸層之間的帶隙過渡層為帶隙階躍變化，以減小P型區各異質結處能帶的不連續值，降低阻礙載流子注入的勢壘高度；所述帶隙過渡層為GaaIn1-aAsbP1-b外延層，層數為1-4，每層厚度為20-40nm，a、b的選擇要滿足以下兩個條件：①與GaAs晶格匹配，即5.8688-0.4176a+0.1896b+0.0125ab=5.6533；②材料價帶位置處于上限制層與歐姆接觸層的價帶中間。
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