[發明專利]一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法在審
| 申請號： | 201410484955.9 | 申請日： | 2014-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN104362178A | 公開（公告）日： | 2015-02-18 |
| 發明（設計）人： | 司紅康;金一琪 | 申請（專利權）人： | 六安市華海電子器材科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 237005 *** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化物 半導體 薄膜晶體管 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氧化物半導體薄膜晶體管的制備方法，包括以下步驟：
（1）在絕緣襯底上形成AL源漏電極層，該源漏電極層的上表面與絕緣襯底的上表面在同一平面上；
（2）將絕緣襯底置入鍍膜機，在氫氣氛中蒸鍍一層極薄的富氫Al膜；
（3）將絕緣襯底置入磁控濺射設備，500-600攝氏度溫度下，在絕緣襯底沉積氧化物半導體層，并以此獲得源漏電極層與氧化物半導體層的界面區域的氫濃度分布區域；
（4）在氧化物半導體層103上沉積柵極絕緣層，該柵極絕緣層與源漏電極層之間在水平面上具有一最小間隔d；
（5）形成源漏區和溝道區以及柵極電極層。
2.如權利要求1所述的制備方法，所述極薄的富氫Al膜301的厚度為2-8納米。
3.如權利要求1所述的制備方法，所述沉積氧化物半導體層使用Zn-Sn-O材料為靶材。
4.如權利要求1-3所述的制備方法，所述氫濃度分布在源漏電極層與氧化物半導體層接觸的界面處濃度最高，而遠離該界面處濃度逐漸降低，并且在氧化物半導體層103的上表面和源漏電極層102的下表面以及溝道區內沒有氫分布。
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