[發明專利]適于氧化釩或摻雜氧化釩薄膜的電極材料及其制備方法

在審

• 申請號: 201410484775.0
• 申請日: 2014-09-22
• 公開（公告）號: CN104269389A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 顧德恩;郭瑞;王濤;蔣亞東;袁凱
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223
• 代理人: 徐豐

1.一種適于氧化釩或者摻雜氧化釩薄膜的電極材料，其特征在于，以金屬釩納米層修飾的金屬鈦薄膜作為與氧化釩或者摻雜氧化釩薄膜接觸的引出電極。

2.一種采用下電極接觸方式的金屬釩納米層修飾的金屬鈦薄膜/氧化釩或摻雜氧化釩薄膜復合膜系結構制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用直流濺射法、真空蒸發法或離子束沉積法在襯底上沉積30-100?納米的金屬鈦薄膜，然后在同腔室下沉積10-50納米金屬釩層，以形成復合電極膜層；

對步驟①制備的復合電極膜層采用剝離法或干法刻蝕法形成圖形化電極，并開出電極接觸孔；

對電極接觸孔進行原位真空預處理，然后沉積氧化釩薄膜或摻雜氧化釩薄膜；

在氧化釩或摻雜氧化釩薄膜上沉積30-200?納米的氮氧硅鈍化層薄膜。

3.根據權利要求2所述的采用下電極接觸方式的金屬釩納米層修飾的金屬鈦薄膜/氧化釩或摻雜氧化釩薄膜復合膜系結構制備方法，其特征在于，步驟中原位真空預處理工藝為：在本底真空優于1.0×10^-2Pa的真空室內，采用加速電壓為200V～400V的Ar離子束流轟擊電極接觸孔30秒～150秒，轟擊后將樣品在真空環境下轉入氧化釩或者摻雜氧化釩薄膜制備工藝真空室。

4.一種采用上電極接觸方式的金屬釩納米層修飾的金屬鈦薄膜/氧化釩或摻雜氧化釩薄膜復合膜系結構制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上沉積氧化釩或摻雜氧化釩薄膜；

在步驟①沉積的氧化釩或摻雜氧化釩薄膜上沉積30-200?納米的氮氧硅鈍化層薄膜；

對氧化釩或摻雜氧化釩/鈍化層進行圖形化，并在鈍化層薄膜上開出電極接觸孔；

對電極接觸孔進行原位真空預處理，然后采用直流濺射法、真空蒸發法或離子束沉積法先沉積10-30納米金屬釩層，再在同腔室下沉積20-100?納米的金屬鈦薄膜；

在金屬鈦薄膜上以化學氣相沉積法沉積20-100?納米的氮化硅薄膜鈍化層。

5.根據權利要求4所述的采用上電極接觸方式的金屬釩納米層修飾的金屬鈦薄膜/氧化釩或摻雜氧化釩薄膜復合膜系結構制備方法，其特征在于，步驟④對電極接觸孔進行原位真空預處理工藝為：本底真空優于1.0×10^-2Pa的真空室內，采用加速電壓為100V～300V的Ar離子束流轟擊電極接觸孔30秒～100秒，轟擊后將樣品在真空環境下轉入電極薄膜制備工藝真空室。