[發(fā)明專利]基于半?；刹▽?dǎo)結(jié)構(gòu)的雙通帶差分帶通濾波器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410484667.3
• 申請日: 2014-09-20
• 公開（公告）號: CN105489988B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈義進;周愷;黃姍姍;李駿;康煒;吳文
• 申請（專利權(quán)）人: 南京理工大學(xué)
• 主分類號: H01P1/208
• 分類號: H01P1/208;H01P11/00
• 代理公司: 南京理工大學(xué)專利中心 32203
• 代理人: 朱顯國;王培松

1.一種基于半模基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的雙通帶差分帶通濾波器，其特征在于，包括介質(zhì)基板(6)，以及設(shè)置在介質(zhì)基板(6)表面的上表面金屬層(1)和下表面金屬層(7)，介質(zhì)基板(6)具有一水平軸線(L1)和垂直軸線(L2)，垂直軸線(L2)與信號的傳輸方向相同，其中：

所述介質(zhì)基板(6)、上表面金屬層(1)和下表面金屬層(7)上形成有多個貫穿的金屬化通孔(2)，金屬化通孔(2)在上表面金屬層(1)和下表面金屬層(7)表面組成通孔陣列，所述通孔陣列、上表面金屬層(1)與下表面金屬層(7)圍成兩個半模諧振腔，分別為第一半模諧振腔(31)和第二半模諧振腔(32)，第一半模諧振腔(31)和第二半模諧振腔(32)關(guān)于水平軸線(L1)對稱，且第一半模諧振腔(31)與第二半模諧振腔(32)鄰接的位置形成有第一耦合窗口(C1)和第二耦合窗口(C2)；

所述上表面金屬層(1)的邊緣上關(guān)于所述第一耦合窗口(C1)的水平對稱位置形成有第一電磁帶隙(41)、第二電磁帶隙(42)，且關(guān)于所述第二耦合窗口(C2)的水平對稱位置形成有第三電磁帶隙(43)和第四電磁帶隙(44)；

所述第一半模諧振腔(31)和第二半模諧振腔(32)兩側(cè)的開口位置設(shè)置四根饋線，分別為第一饋線(51)、第二饋線(52)、第三饋線(53)和第四饋線(54)，用于信號傳輸；

所述第一耦合窗口(C1)與第二耦合窗口(C2)的長度相同；所述第一耦合窗口(C1)和第二耦合窗口(C2)被設(shè)置成關(guān)于垂直軸線(L2)對稱；

所述第一電磁帶隙(41)、第二電磁帶隙(42)、第三電磁帶隙(43)和第四電磁帶隙(44)的結(jié)構(gòu)相同；

所述金屬通孔(2)的直徑是0.8mm，兩相鄰?fù)字g的距離是1.2mm；

所述介質(zhì)基板(6)采用RO5880型號，介電常數(shù)為2.2，厚度為0.508mm。

2.一種如權(quán)利要求1所述的基于半模基片集成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的雙通帶差分帶通濾波器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：在一介質(zhì)基板(6)的兩個表面上分別安裝上表面金屬層(1)和下表面金屬層(7)，前述介質(zhì)基板(6)的垂直軸線(L2)與信號的傳輸方向相同；在所述介質(zhì)基板(6)、上表面金屬層(1)和下表面金屬層(7)表面形成多個貫穿的金屬化通孔(2)，通過金屬化通孔(2)在上表面金屬層(1)和下表面金屬層(7)表面組成通孔陣列，通過所述通孔陣列、上表面金屬層(1)與下表面金屬層(7)圍包形成兩個半模諧振腔，分別為第一半模諧振腔(31)和第二半模諧振腔(32)，其中，第一半模諧振腔(31)和第二半模諧振腔(32)被設(shè)置成關(guān)于水平軸線(L1)對稱，且在第一半模諧振腔(31)與第二半模諧振腔(32)鄰接的位置形成有第一耦合窗口(C1)和第二耦合窗口(C2)；

在所述上表面金屬層(1)的邊緣上關(guān)于所述第一耦合窗口(C1)的水平對稱位置形成第一電磁帶隙(41)、第二電磁帶隙(42)，并且在關(guān)于第二耦合窗口(C2)的水平對稱位置形成第三電磁帶隙(43)和第四電磁帶隙(44)；

在所述第一半模諧振腔(31)和第二半模諧振腔(32)兩側(cè)的開口位置設(shè)置四根饋線，分別為第一饋線(51)、第二饋線(52)、第三饋線(53)和第四饋線(54)，用于信號傳輸；按照下述方式形成所述兩個耦合窗口將第一耦合窗口(C1)與第二耦合窗口(C2)設(shè)置成相同的長度，且關(guān)于垂直軸線(L2)對稱；

還包括以下步驟：調(diào)節(jié)所述四個電磁帶隙結(jié)構(gòu)(41、42、43、44)的尺寸和/或四個電磁帶隙結(jié)構(gòu)(41、42、43、44)與半模諧振腔的間距，從而調(diào)整信號傳輸零點對應(yīng)的頻率值。