[發明專利]一種小型化Y波導尾纖的制備方法

有效

• 申請號: 201410484197.0
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN104238032A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 黃韜;宋武;汪飛琴;鄭國康;夏君磊
• 申請（專利權）人: 北京航天時代光電科技有限公司
• 主分類號: G02B6/36
• 分類號: G02B6/36
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

1.一種小型化Y波導尾纖的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將已經腐蝕出V型槽的硅晶圓切成多個長度為2.2mm的硅塊陣列；

S2、用粒度為10μm的磨料對各個硅塊陣列進行研磨，將硅塊陣列磨成長度為2.0mm、端面為15°±0.5°角的硅塊陣列；

S3、分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗硅塊陣列，然后用氫氟酸將硅塊表面的二氧化硅腐蝕干凈，再用去離子水進行超聲清洗并吹干；

S4、裝夾其中一排硅塊陣列，使得硅塊陣列的第一個V型槽的磨斜成15°角的端面位于電荷耦合探測器的顯微鏡視場的中心位置；旋轉電荷耦合探測器，直至硅塊陣列的V型槽的上表面與電荷耦合探測器的圖像采集系統自帶軟件上的“十”字線的水平線平行；

S5、將保偏光纖按需求長度進行截取，并將截取到的光纖纏繞成光纖線圈，將其中一端的光纖頭用光纖熱撥器剝除涂覆層，再用光纖切割刀切割裸纖的光纖頭，使其端面平整；

S6、裝夾經步驟S5處理后的保偏光纖，使光纖涂覆層剝離端口基本與硅塊陣列的V型槽寬槽與窄槽的交界處對齊；同時，調節光纖的前后位置，使光纖位于硅塊陣列中第一個V型槽的上方；并在硅塊陣列的V型槽內涂適量紫外固化膠；

S7、根據實際需求，使保偏光纖的慢軸垂直于硅塊陣列的上表面或者是平行于硅塊陣列的上表面；

S8、將保偏光纖放入經步驟S4處理后的硅塊陣列的第一個V型槽內，使光纖帶涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的寬槽位置，光纖無涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的窄槽位置，并用壓片將保偏光纖壓住；之后使用紫外曝光燈進行曝光固化處理，并在固化完畢后移走光纖壓片；

S9、重復步驟S5至S8，依次將硅塊陣列的其余V型槽都粘上光纖；

S10、重復步驟S4-S9步，將經步驟S1處理得到的多個硅塊陣列都粘上光纖；

S11、用光纖劃筆逐根將伸出硅塊的光纖頭劃斷；

S12、用粒度為3μm的磨料對粘好光纖的硅塊陣列的經步驟S2處理后的端面部分進行研磨，控制研磨速率在2-6μm/min，研磨長度達到200μm后用粒度為1μm的磨料進行研磨，控制研磨速率在0.3-0.8μm/min，研磨長度達到50μm后，再用拋光液進行拋光，硅塊陣列經磨拋后的長度為1.8mm左右，然后進行超聲清洗；

S13、將經前述步驟處理后的任一排硅塊陣列粘貼到藍膜上，并將保偏光纖順直粘在藍膜上，將藍膜放在劃片機的切割盤上，并通過抽真空進行吸附；

S14、將硅塊陣列劃切成單個硅塊，之后用氮氣吹干，并將單個硅塊的尾纖纏繞成圈，由此完成小型化Y波導尾纖的制備。

2.根據權利要求1所述的小型化Y波導尾纖的制備方法，其特征在于，所述步驟S1中的硅晶圓為110晶面，且根據定軸光纖直徑腐蝕出V型槽，對于包層直徑為125μm的光纖，V型槽寬度為140μm～200μm；對于包層直徑為80μm的光纖，V型槽寬度為80μm～120μm。

3.根據權利要求1所述的小型化Y波導尾纖的制備方法，其特征在于，在所述步驟S1的實施過程中，劃切前要用藍膜粘貼硅晶圓的背面，且必須將藍膜與硅晶圓之間的氣泡趕出。