[發(fā)明專利]接合銀漿的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410482929.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104752241A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 洪坰國(guó);鄭永均;李鐘錫;千大煥;姜修檳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 現(xiàn)代自動(dòng)車(chē)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接合 方法 | ||
1.一種接合銀漿的方法,包括:
制備包括多個(gè)銀粉末和多個(gè)鉛粉末的銀漿;
加熱所述銀漿;以及
接合所述銀粉末。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中執(zhí)行加熱所述銀漿的步驟,直到加熱溫度上升到約400℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中加熱所述銀漿的步驟包括:
將所述鉛粉末轉(zhuǎn)化為液相鉛;以及
用所述液相鉛環(huán)繞各個(gè)銀粉末表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其中接合所述銀粉末的步驟包括:
使環(huán)繞各個(gè)銀粉末表面的液相鉛與相鄰的液相鉛接觸;
使所述液相鉛擴(kuò)散到所述銀粉末中;以及
使所述銀粉末擴(kuò)散到所述液相鉛中,以形成接合所述銀粉末的接合部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在接合所述銀粉末的過(guò)程中,所述液相鉛擴(kuò)散到所述銀粉末中,以被移除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述鉛粉末的含量基于所述銀漿的總重量在約4wt%至約5wt%的范圍內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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