[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410482814.3
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN104465769B
• 公開（公告）日: 2018-09-28
• 發明（設計）人: 川尻智司;鳥居克行
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;蔡麗娜

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一導電型的第一半導體區域；

第二導電型的第二半導體區域，其配置在所述第一半導體區域之上；

第一導電型的第三半導體區域，其配置在所述第二半導體區域之上；

多個第二導電型的第四半導體區域，其配置在所述第三半導體區域之上；

絕緣膜，其配置在從所述第四半導體區域的上表面延伸并貫通所述第四半導體區域和所述第三半導體區域而到達所述第二半導體區域的槽的內壁上；

控制電極，其在所述槽的側面配置在所述絕緣膜的與所述第三半導體區域的側面對置的區域上；

第一主電極，其與所述第一半導體區域電連接；

第二主電極，其與所述第四半導體區域電連接；以及

底面電極，其在所述槽的底面與所述控制電極間隔開地配置在所述絕緣膜之上，并與所述第二主電極電連接，

在俯視觀察時，所述槽的延伸方向的長度在所述槽的寬度以上，而且，所述槽的寬度比相鄰的所述槽之間的間隔寬，

多個所述槽以交叉方式形成為格子狀，柱是形成為被所述槽包圍的島狀的區域，該柱在俯視觀察時呈二維排列，形成于相鄰的兩個所述柱的側面的所述控制電極通過底面柵配線而連結，所述底面柵配線形成在相鄰的兩個所述柱之間的所述槽的底面的所述絕緣膜上，在相鄰的兩個所述底面柵配線之間的所述槽的底面的所述絕緣膜上，所述底面電極與所述控制電極斷開且與所述第二主電極電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底面電極的與所述槽的底面對置的寬度比所述控制電極的與所述槽的底面對置的寬度寬。

3.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一導電型的第一半導體區域；

第二導電型的第二半導體區域，其配置在所述第一半導體區域之上；

第一導電型的第三半導體區域，其配置在所述第二半導體區域之上；

多個第二導電型的第四半導體區域，其配置在所述第三半導體區域之上；

絕緣膜，其分別配置在從所述第四半導體區域的上表面延伸并貫通所述第四半導體區域和所述第三半導體區域而到達所述第二半導體區域的槽的內壁上；

控制電極，其在所述槽的側面配置在所述絕緣膜的與所述第三半導體區域的側面對置的區域上；

底面電極，其在所述槽的底面與所述控制電極間隔開地配置在所述絕緣膜之上；

第一主電極，其與所述第一半導體區域電連接；

層間絕緣膜，其配置在所述控制電極和所述底面電極之上；以及

第二主電極，其隔著所述層間絕緣膜在所述控制電極和所述底面電極的上方配置在所述第三半導體區域上和所述第四半導體區域上，且與所述第四半導體區域和所述底面電極電連接，

俯視觀察時，所述槽的面積比相鄰的所述槽之間的半導體區域的面積大，

多個所述槽以交叉方式形成為格子狀，柱是形成為被所述槽包圍的島狀的區域，該柱在俯視觀察時呈二維排列，形成于相鄰的兩個所述柱的側面的所述控制電極通過底面柵配線而連結，所述底面柵配線形成在相鄰的兩個所述柱之間的所述槽的底面的所述絕緣膜上，在相鄰的兩個所述底面柵配線之間的所述槽的底面的所述絕緣膜上，所述底面電極與所述控制電極斷開且與所述第二主電極電連接。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底面電極的與所述槽的底面對置的面積比所述控制電極的與所述槽的底面對置的面積大。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底面電極的與所述槽的底面對置的寬度比所述底面電極的膜厚方向的厚度大。

6.根據權利要求1至4中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述控制電極的底面的位置比所述底面電極的上表面的位置靠下方。

7.根據權利要求1至4中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述底面電極的與所述槽的底面對置的寬度比所述底面電極與所述控制電極之間的沿所述槽的底面的間隔大。