[發明專利]溝槽型雙層柵MOS多晶硅間高密度等離子體氧化膜的制造方法

有效

• 申請號: 201410482674.X
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN104362088B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 陳晨;陳正嶸;陳菊英
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種溝槽型雙層柵MOS多晶硅間高密度等離子體氧化膜的制造方法，其特征是，包括以下步驟：

1)在硅基板上，生長第一氮化膜；

2)在硅基板上，進行溝槽刻蝕；

3)在溝槽內，生長介質層；

4)在介質層上，生長第一層多晶硅；

5)對第一層多晶硅進行反刻蝕；

6)去除第一層多晶硅上方溝槽側壁的介質層；

7)在溝槽的底部和側壁以及硅基板表面淀積第二氮化膜后，刻蝕去除溝槽底部的第二氮化膜，露出第一層多晶硅；

8)在第一層多晶硅上，生長熱氧介質層；

9)去除溝槽側壁的第二氮化膜和硅基板表面的第一、二氮化膜；

10)墊積高密度等離子體氧化膜，墊積厚度為4300埃至5000埃；

11)濕法刻蝕高密度等離子體氧化膜；

12)柵極氧化層生長；

13)第二層多晶硅淀積與反刻蝕；

14)形成基極和源極；

15)形成接觸孔、金屬和鈍化層。

2.如權利要求1所述的高密度等離子體氧化膜的制造方法，其特征是：實施步驟10)時，墊積厚度為4500埃。

3.如權利要求1或2所述的高密度等離子體氧化膜的制造方法，其特征是：在步驟11)和步驟12)之間還具有步驟A)，生成一氧化膜后，再將此氧化膜刻蝕去除。