[發明專利]一種全局曝光像素單元中防漏光存儲電容及其形成方法

在審

• 申請號: 201410482610.X
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN104269397A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 顧學強;趙宇航;周偉
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司;成都微光集電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，包括不透光的上下極板和中間的介質層，其特征在于，所述電容極板側壁覆蓋有不透光的隔斷結構。

2.如權利要求1所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述不透光的隔斷結構是內嵌金屬層的邊墻。

3.如權利要求2所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述邊墻由內向外，包含襯墊層，金屬層和邊墻介質層。

4.如權利要求3所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述金屬層和襯墊層是L型的。

5.如權利要求3所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述襯墊層和邊墻介質層使用二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅之類的絕緣材料，所述金屬層使用鈦、氮化鈦、鎢、鋁、銅、鈷和鎳之類的金屬或金屬化合物。

6.如權利要求3所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述襯墊層是單層結構或多層結構，所述金屬層是單層結構或多層結構。

7.如權利要求3所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述襯墊層厚度為10埃～1000埃，所述金屬層厚度為10埃～1000埃。

8.如權利要求3所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述金屬層被襯墊層和邊墻介質層包圍，與周圍結構隔斷。

9.如權利要求1所述的全局曝光像素單元中防漏光存儲電容，其特征在于所述不透光的上極板由多晶和金屬硅化物組成，所述不透光的下極板由阱、源漏區和金屬硅化物組成，所述防漏光存儲電容中間的介質層為二氧化硅。

10.如權利要求1所述的一種全局曝光像素單元中防漏光存儲電容的形成方法，其步驟為：

1)淀積不透光的隔離層；

2)在電容極板側壁形成隔離結構；

3)淀積邊墻介質層；

4)形成內嵌隔離結構的邊墻。